首页--数理科学和化学论文--化学论文--有机化学论文

含氮共轭有机小分子多进制电存储材料设计合成及其性能研究

中文摘要第1-7页
Abstract第7-11页
目录第11-14页
第一章 绪论第14-46页
   ·信息存储的研究现状和发展方向第14-17页
   ·电存储材料的种类第17-20页
     ·掺杂的电存储材料体系第17页
     ·主链共轭聚合物第17-18页
     ·侧链共轭聚合物第18-19页
     ·其他类型的电存储材料第19-20页
   ·有机电子器件性能优化策略第20-42页
     ·功能有机分子结构调节第20-33页
     ·薄膜性能优化第33-39页
     ·器件制备工艺优化第39-42页
   ·本论文的目的意义及研究内容第42-46页
     ·本论文选题的目的意义第42-43页
     ·本论文的研究内容第43-45页
     ·本论文的创新点第45-46页
第二章 分子骨架中电荷陷阱数量和深度的调节对多进制数据存储性能影响研究第46-59页
 摘要第46页
   ·引言第46-47页
   ·实验部分第47-49页
     ·原料与试剂第47-48页
     ·TPAAC 1 和 TPAVC 2 的合成第48-49页
     ·电存储器件制备第49页
     ·测试方法第49页
   ·结果和讨论第49-58页
     ·电流-电压(I-V)性能第49-52页
     ·薄膜形态第52-53页
     ·光学和电化学性能第53-56页
     ·数据存储机制第56-58页
   ·本章小结第58-59页
第三章 酰亚胺基偶氮分子共轭长度及热退火效应对三进制电存储性能影响研究第59-71页
 摘要第59页
   ·引言第59-60页
   ·实验部分第60-62页
     ·原料与试剂第60页
     ·DPAPIT 和 DPAPPD 的合成第60-62页
     ·电存储器件的制备第62页
     ·测试及表征第62页
   ·结果与讨论第62-70页
     ·光学性质第62-63页
     ·电化学性质第63-64页
     ·薄膜表面形貌第64-65页
     ·I-V 特征第65-68页
     ·C-AFM 测试第68-69页
     ·数据存储机理第69-70页
   ·本章小结第70-71页
第四章 以二芳基酮为中心骨架的偶氮化合物设计合成及其分子平面性调节对三进制电存储性能影响研究第71-84页
 摘要第71页
   ·引言第71-72页
   ·实验部分第72-75页
     ·原料及试剂第72页
     ·化合物的合成步骤第72-74页
     ·电存储器件制备第74页
     ·测试方法第74-75页
   ·结果与讨论第75-82页
     ·电流-电压(I-V)曲线第75-76页
     ·光学和电化学性能第76-78页
     ·薄膜微结构第78-80页
     ·模拟计算第80-81页
     ·存储机理第81-82页
   ·本章小结第82-84页
第五章 溶液制程蝙蝠状二氰基吡喃功能化的萘酰亚胺共轭分子合成及其多进制电存储性能研究第84-94页
 摘要第84页
   ·引言第84-85页
   ·实验部分第85-88页
     ·原料与试剂第85页
     ·DCMCzNI 的合成第85-88页
     ·电存储器件的制备第88页
     ·测试和表征第88页
   ·结果与讨论第88-92页
   ·本章小结第92-94页
第六章 平面直线型 D-Π-A-Π-A’共轭分子设计合成及其精细可调的多进制电存储性能研究第94-107页
 摘要第94页
   ·引言第94-95页
   ·实验部分第95-100页
     ·材料和试剂第95页
     ·BTPyCz-Bu 和 BTPyCz-EH 的合成第95-99页
     ·电存储器件的制备第99-100页
     ·测试和表征第100页
   ·结果与讨论第100-105页
     ·热稳定性第100页
     ·光学和电化学性质第100-101页
     ·成膜性和薄膜表面形貌第101-102页
     ·电存储性能第102-104页
     ·存储机理探讨第104-105页
   ·本章小结第105-107页
第七章 全文总结第107-110页
   ·全文总结第107-108页
   ·存在的问题和展望第108-110页
参考文献第110-137页
攻读学位期间公开发表的论文及专利第137-139页
致谢第139-140页

论文共140页,点击 下载论文
上一篇:稀土金属配合物的合成、结构及磁性研究
下一篇:具有环境修复功能的纳米复合结构的设计合成