中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
目录 | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第14-46页 |
·信息存储的研究现状和发展方向 | 第14-17页 |
·电存储材料的种类 | 第17-20页 |
·掺杂的电存储材料体系 | 第17页 |
·主链共轭聚合物 | 第17-18页 |
·侧链共轭聚合物 | 第18-19页 |
·其他类型的电存储材料 | 第19-20页 |
·有机电子器件性能优化策略 | 第20-42页 |
·功能有机分子结构调节 | 第20-33页 |
·薄膜性能优化 | 第33-39页 |
·器件制备工艺优化 | 第39-42页 |
·本论文的目的意义及研究内容 | 第42-46页 |
·本论文选题的目的意义 | 第42-43页 |
·本论文的研究内容 | 第43-45页 |
·本论文的创新点 | 第45-46页 |
第二章 分子骨架中电荷陷阱数量和深度的调节对多进制数据存储性能影响研究 | 第46-59页 |
摘要 | 第46页 |
·引言 | 第46-47页 |
·实验部分 | 第47-49页 |
·原料与试剂 | 第47-48页 |
·TPAAC 1 和 TPAVC 2 的合成 | 第48-49页 |
·电存储器件制备 | 第49页 |
·测试方法 | 第49页 |
·结果和讨论 | 第49-58页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第49-52页 |
·薄膜形态 | 第52-53页 |
·光学和电化学性能 | 第53-56页 |
·数据存储机制 | 第56-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第三章 酰亚胺基偶氮分子共轭长度及热退火效应对三进制电存储性能影响研究 | 第59-71页 |
摘要 | 第59页 |
·引言 | 第59-60页 |
·实验部分 | 第60-62页 |
·原料与试剂 | 第60页 |
·DPAPIT 和 DPAPPD 的合成 | 第60-62页 |
·电存储器件的制备 | 第62页 |
·测试及表征 | 第62页 |
·结果与讨论 | 第62-70页 |
·光学性质 | 第62-63页 |
·电化学性质 | 第63-64页 |
·薄膜表面形貌 | 第64-65页 |
·I-V 特征 | 第65-68页 |
·C-AFM 测试 | 第68-69页 |
·数据存储机理 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
第四章 以二芳基酮为中心骨架的偶氮化合物设计合成及其分子平面性调节对三进制电存储性能影响研究 | 第71-84页 |
摘要 | 第71页 |
·引言 | 第71-72页 |
·实验部分 | 第72-75页 |
·原料及试剂 | 第72页 |
·化合物的合成步骤 | 第72-74页 |
·电存储器件制备 | 第74页 |
·测试方法 | 第74-75页 |
·结果与讨论 | 第75-82页 |
·电流-电压(I-V)曲线 | 第75-76页 |
·光学和电化学性能 | 第76-78页 |
·薄膜微结构 | 第78-80页 |
·模拟计算 | 第80-81页 |
·存储机理 | 第81-82页 |
·本章小结 | 第82-84页 |
第五章 溶液制程蝙蝠状二氰基吡喃功能化的萘酰亚胺共轭分子合成及其多进制电存储性能研究 | 第84-94页 |
摘要 | 第84页 |
·引言 | 第84-85页 |
·实验部分 | 第85-88页 |
·原料与试剂 | 第85页 |
·DCMCzNI 的合成 | 第85-88页 |
·电存储器件的制备 | 第88页 |
·测试和表征 | 第88页 |
·结果与讨论 | 第88-92页 |
·本章小结 | 第92-94页 |
第六章 平面直线型 D-Π-A-Π-A’共轭分子设计合成及其精细可调的多进制电存储性能研究 | 第94-107页 |
摘要 | 第94页 |
·引言 | 第94-95页 |
·实验部分 | 第95-100页 |
·材料和试剂 | 第95页 |
·BTPyCz-Bu 和 BTPyCz-EH 的合成 | 第95-99页 |
·电存储器件的制备 | 第99-100页 |
·测试和表征 | 第100页 |
·结果与讨论 | 第100-105页 |
·热稳定性 | 第100页 |
·光学和电化学性质 | 第100-101页 |
·成膜性和薄膜表面形貌 | 第101-102页 |
·电存储性能 | 第102-104页 |
·存储机理探讨 | 第104-105页 |
·本章小结 | 第105-107页 |
第七章 全文总结 | 第107-110页 |
·全文总结 | 第107-108页 |
·存在的问题和展望 | 第108-110页 |
参考文献 | 第110-137页 |
攻读学位期间公开发表的论文及专利 | 第137-139页 |
致谢 | 第139-140页 |