基于AEP方法的阵列辐射和散射的电磁建模研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景和意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·本文主要内容和结构 | 第10-12页 |
| 第二章 阵列天线的远场计算方法 | 第12-23页 |
| ·基于有源单元方向图的远场计算公式 | 第12-13页 |
| ·有源单元方向图方法的提取方法 | 第13-14页 |
| ·AEP方法在大型阵列辐射场计算中的应用 | 第14-15页 |
| ·EV-AEF方法在大型阵列散射场计算中的应用 | 第15-22页 |
| ·阵列中参考单元的散射场计算公式 | 第15-20页 |
| ·电场积分方程 | 第15-16页 |
| ·金属导体表面感应电流产生的远区散射电场 | 第16-18页 |
| ·介质表面等效面电流和等效面磁流产生的远区散射场 | 第18-20页 |
| ·等效电流的提取 | 第20页 |
| ·随单元变化的有源单元因子的提取方法 | 第20-22页 |
| ·随单元变化的有源单元因子的提取 | 第20-21页 |
| ·奇偶阵列的EV-AEF技术 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 基于AEP方法的阵列辐射场计算 | 第23-32页 |
| ·微带阵列的远区辐射场计算 | 第23-27页 |
| ·旋转体表面共形阵列远区辐射场计算 | 第27-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 基于EV-AEF方法的阵列散射场计算 | 第32-57页 |
| ·平面波垂直入射微带阵列 | 第32-38页 |
| ·平面波垂直入射一维有限大微带阵列 | 第32-37页 |
| ·平面波垂直入射有限大二维阵列的散射场计算 | 第37-38页 |
| ·平面波斜入射微带阵列实例 | 第38-51页 |
| ·平面波斜入射一维微带阵列实例 | 第39-50页 |
| ·平面波30°入射一维微带阵列实例 | 第39-46页 |
| ·平面波45°入射一维微带阵列实例 | 第46-47页 |
| ·入射波60°入射一维微带阵列实例 | 第47-48页 |
| ·入射角θ与子阵数目的关系 | 第48-50页 |
| ·平面波斜入射有限大二维微带阵列实例 | 第50-51页 |
| ·平面波垂直入射介质金属混合体实例 | 第51-56页 |
| ·平面波垂直入射一维介质金属球 | 第51-54页 |
| ·平面波垂直入射一维金属介质圆柱阵列 | 第54-55页 |
| ·平面波垂直入射二维介质金属混合体实例 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| ·本文主要的贡献和创新 | 第57页 |
| ·下一步工作展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63页 |