磷化铟纳米线的制备表征及光学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题背景及研究目的 | 第10-11页 |
| ·磷化铟半导体材料的研究进展 | 第11-16页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·磷化铟纳米材料的制备方法 | 第13-15页 |
| ·本课题所选用的制备方法 | 第15-16页 |
| ·磷化铟材料的应用前景 | 第16页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 实验材料及表征方法 | 第18-24页 |
| ·实验药品及仪器 | 第18-19页 |
| ·实验药品 | 第18-19页 |
| ·实验仪器 | 第19页 |
| ·实验方法 | 第19-20页 |
| ·单温区直接固相反应法 | 第19-20页 |
| ·双温区化学气相沉积法 | 第20页 |
| ·溶剂热法 | 第20页 |
| ·实验表征分析方法 | 第20-23页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第21页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第22-23页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第23页 |
| ·光致发光光谱（PL） | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 磷化铟纳米线的化学气相沉积法制备与表征 | 第24-43页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·单温区直接固相反应法制备 InP 纳米线 | 第25-26页 |
| ·实验药品及仪器 | 第25页 |
| ·样品 S0 的制备 | 第25页 |
| ·考察各种因素对 InP 样品 S0 的影响 | 第25-26页 |
| ·样品的表征 | 第26页 |
| ·单温区直接固相反应法的结果与讨论 | 第26-32页 |
| ·样品的物相分析 | 第26-28页 |
| ·样品的形貌及结构分析 | 第28-31页 |
| ·样品的拉曼光谱分析 | 第31-32页 |
| ·双温区化学气相沉积法制备 InP 纳米线 | 第32-33页 |
| ·实验药品及仪器 | 第32页 |
| ·样品 C0 的制备 | 第32页 |
| ·考察温度因素对 InP 样品 C0 的影响 | 第32-33页 |
| ·样品的表征 | 第33页 |
| ·双温区化学气相沉积法的结果与讨论 | 第33-41页 |
| ·样品的物相分析 | 第33-34页 |
| ·样品的形貌及结构分析 | 第34-39页 |
| ·样品的光学性质研究 | 第39-41页 |
| ·纳米线生长的反应机理分析 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 磷化铟纳米线的溶剂热法制备与表征 | 第43-56页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验部分 | 第43-45页 |
| ·实验药品及仪器 | 第43-44页 |
| ·样品的制备 | 第44页 |
| ·考察各种因素对 InP 纳米线的影响 | 第44-45页 |
| ·样品的表征 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-55页 |
| ·InP 样品的物相分析 | 第45-46页 |
| ·InP 样品的形貌及结构分析 | 第46-49页 |
| ·各种反应因素对 InP 样品的影响 | 第49-52页 |
| ·反应机理分析 | 第52-53页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第53-54页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
