多晶硅还原工艺的流程模拟与优化
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-21页 |
| ·多晶硅的发展状况 | 第8-10页 |
| ·国外的多晶硅发展状况 | 第8-9页 |
| ·国内的多晶硅发展状况 | 第9页 |
| ·国内外多晶硅技术比较 | 第9-10页 |
| ·多晶硅的生产技术 | 第10-13页 |
| ·氢气还原四氯化硅法 | 第10页 |
| ·氢气还原三氯氢硅法 | 第10-11页 |
| ·硅烷热分解法 | 第11-12页 |
| ·其他方法 | 第12-13页 |
| ·改良西门子法的具体探讨 | 第13-15页 |
| ·第三代改良西门子法 | 第13-14页 |
| ·西门子反应器 | 第14-15页 |
| ·计算流体力学和反应动力学 | 第15-18页 |
| ·计算流体力学 | 第15-16页 |
| ·反应动力学 | 第16-18页 |
| ·化学气相沉积反应 | 第18-20页 |
| ·本文的研究思路 | 第20-21页 |
| 第二章 氢气和三氯氢硅反应机理 | 第21-32页 |
| ·三氯氢硅的性质 | 第21-22页 |
| ·三氯氢硅的物理性质 | 第21-22页 |
| ·三氯氢硅的化学性质 | 第22页 |
| ·西门子反应器中反应过程的热力学分析 | 第22-28页 |
| ·西门子反应器的反应机理 | 第28-31页 |
| ·西门子反应器的动力学分析 | 第28-30页 |
| ·西门子反应器中化学气相沉积反应机理 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 西门子反应器动力学模拟 | 第32-45页 |
| ·气体传递数据的计算 | 第32-33页 |
| ·氢气和三氯氢硅的系统平衡分析 | 第33-37页 |
| ·氢气和三氯氢硅气相沉积反应的平面剪切流模型 | 第37-40页 |
| ·氢气和三氯氢硅气相沉积反应的圆柱剪切流模型 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 西门子反应器的流体力学模拟 | 第45-61页 |
| ·西门子子反应器模型的流体力学特性 | 第45-47页 |
| ·流体基本控制方程 | 第45-46页 |
| ·湍流模型 | 第46页 |
| ·组分传递和化学反应模型 | 第46-47页 |
| ·西门子反应器的气相沉积模型数值模拟 | 第47-54页 |
| ·几何模型 | 第47-48页 |
| ·模拟思路 | 第48页 |
| ·网格划分以及边界条件 | 第48-49页 |
| ·模型验证 | 第49-50页 |
| ·硅沉积速率与进气温度 | 第50-51页 |
| ·硅沉积速率与进气速度 | 第51-52页 |
| ·硅沉积速率与反应温度 | 第52-53页 |
| ·硅沉积速率与反应压力 | 第53-54页 |
| ·沉积效率 | 第54-55页 |
| ·还原炉喷头优化建议 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 符号说明 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
