| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·量子点的特性 | 第11-14页 |
| ·量子点的表面修饰 | 第14-15页 |
| ·巯基化合物做稳定剂的量子点 | 第15-17页 |
| ·本论文的研究内容及研究意义 | 第17-19页 |
| 2 巯基 PEG 酸或醇修饰 CdTe 量子点的制备 | 第19-28页 |
| ·概述 | 第19页 |
| ·实验部分 | 第19-21页 |
| ·实验所需药品与仪器 | 第19-20页 |
| ·巯基 PEG 酸或醇修饰 CdTe 量子点的制备 | 第20-21页 |
| ·结果和讨论 | 第21-26页 |
| ·相同碳链长度的巯基酸与巯基醇对合成 CdTe 量子点的影响 | 第21-24页 |
| ·不同碳链长度巯基醇修饰 CdTe 量子点表征 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 3 巯基酸修饰 ZnS CdS 量子点 | 第28-49页 |
| ·概述 | 第28页 |
| ·实验药品及仪器 | 第28-29页 |
| ·一步水相合成 3MBA 修饰 ZnS 量子点 | 第29-34页 |
| ·3MBA 修饰 ZnS 量子点的制备 | 第29-30页 |
| ·3MBA 修饰 ZnS 量子点实验条件优化 | 第30-34页 |
| ·3MBA 修饰 ZnS 量子点小结 | 第34页 |
| ·3MBA 修饰 CdS 量子点的合成 | 第34-41页 |
| ·3MBA 修饰 CdS 量子点制备 | 第34-35页 |
| ·3MBA 修饰 CdS 量子点条件优化 | 第35-41页 |
| ·水热法 2MPA 修饰 CdS 量子点的合成 | 第41-47页 |
| ·2MPA 修饰 CdS 量子点的制备 | 第41-42页 |
| ·2MPA 修饰 CdS 量子点的条件优化 | 第42-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| ·TEM 与 XRD 表征 CdS 量子点 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 4 光引发剂等有机小分子的合成 | 第49-63页 |
| ·概述 | 第49-51页 |
| ·高分子合成方法简介 | 第49页 |
| ·自由基正离子转化聚合 | 第49页 |
| ·CTCR 反应机理 | 第49-50页 |
| ·引发剂对 CTCR 的影响 | 第50-51页 |
| ·实验部分 | 第51-62页 |
| ·药品及仪器 | 第51-53页 |
| ·3-(2-羟基乙氧甲基)二联苯并[b,d]碘-5 六氟磷酸盐（HDBI）及对甲苯磺酸盐的合成 | 第53-59页 |
| ·3-(二甲基胺甲基)二联苯并[b,d]碘-5 六氟磷酸盐的合成 | 第59-62页 |
| ·合成对甲苯磺酸亚铁 | 第62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 5 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
