摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-10页 |
第一章 前言 | 第10-33页 |
1 汽车尾气净化催化剂研究的意义 | 第10-19页 |
·汽车尾气污染物的危害 | 第10-11页 |
·汽车尾气净化催化剂的发展现状 | 第11-14页 |
·汽车尾气净化过程 | 第14-16页 |
·汽车尾气净化催化剂的贵金属使用状况 | 第16-19页 |
2 密偶催化剂的研究现状 | 第19-28页 |
·密偶催化剂的组成 | 第20-22页 |
·密偶催化剂载体制备技术的研究 | 第22-25页 |
·添加物的使用 | 第23页 |
·改善制备过程 | 第23-25页 |
·贵金属负载方式的研究 | 第25-26页 |
·助剂的添加对催化剂活性的影响 | 第26-28页 |
3 本文研究的目的与内容 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-33页 |
第二章 耐高温高比表面积载体的制备 | 第33-58页 |
1 实验部分 | 第33-36页 |
·主要试剂及材料 | 第33页 |
·催化剂载体的制备及高温处理 | 第33-34页 |
·镧稳定氧化铝(La-Al_2O_3)的制备 | 第33页 |
·钇、锆稳定氧化铝(YSZ-Al_2O_3)的制备 | 第33-34页 |
·La 改性的氧化铝的处理 | 第34页 |
·催化剂载体的性能表征 | 第34-36页 |
·载体的 BET 表征 | 第34页 |
·载体的 XRD 表征 | 第34页 |
·SEM 表征 | 第34页 |
·TG/DTA 表征 | 第34-36页 |
2 结果与讨论 | 第36-56页 |
·沉淀剂的影响 | 第36-43页 |
·不同沉淀剂制备的氧化铝的比表面积、孔容和平均孔径 | 第36-38页 |
·不同沉淀剂制备的氧化铝的 XRD 分析 | 第38-41页 |
·不同沉淀剂制备的氧化铝的前驱物的TG/DTA分析 | 第41-43页 |
·沉淀pH值的影响 | 第43-45页 |
·沉淀方法的影响 | 第45-46页 |
·干燥方法的影响 | 第46-48页 |
·高聚物的影响 | 第48-51页 |
·高聚物种类的影响 | 第48-50页 |
·高聚物含量的影响 | 第50-51页 |
·助剂含量的影响 | 第51-53页 |
·密偶催化剂载体的制备以及 BET 表征 | 第53-56页 |
·催化剂载体的制备 | 第53页 |
·催化剂载体的 BET 表征 | 第53-55页 |
·载体 YSZ-Al_2O_3 和 La-Al_2O_3的孔径分布 | 第55-56页 |
3 小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-58页 |
第三章 密偶催化剂的制备及催化性能评价 | 第58-89页 |
1 实验部分 | 第58-61页 |
·主要试剂及材料 | 第58页 |
·密偶催化剂的制备及高温处理 | 第58-59页 |
·单金属Pd催化剂的制备 | 第58-59页 |
·Pt-Rh、Pd-Rh、Pd-Pt、Pd-Pt-Rh 催化剂的制备 | 第59页 |
·密偶催化剂的老化处理 | 第59页 |
·催化剂反应性能评价 | 第59-60页 |
·催化剂的 H_2-TPR 表征 | 第60-61页 |
2 结果与讨论 | 第61-87页 |
·载体对密偶催化剂反应性能的影响 | 第61-66页 |
·耐高温高比表面载体对催化剂反应性能的影响 | 第61-64页 |
·储氧材料(OSM)对催化剂反应性能的影响 | 第64-66页 |
·贵金属对催化剂性能的影响 | 第66-76页 |
·贵金属含量对催化剂反应性能的影响 | 第67-68页 |
·不同贵金属及贵金属组合催化剂的反应性能 | 第68-73页 |
·不同贵金属催化剂的空燃比特性 | 第73-76页 |
·助剂对催化剂性能的影响 | 第76-82页 |
·添加不同助剂对催化剂反应性能的影响 | 第76-80页 |
·添加不同助剂的催化剂的H_2-TPR分析 | 第80-82页 |
·单Pd催化剂的催化性能 | 第82-87页 |
3 小结 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-89页 |
第四章 密偶催化剂单一反应研究 | 第89-113页 |
1 实验 | 第89-90页 |
2 密偶催化剂的单反应 | 第90-111页 |
·稀烃的加入对催化剂活性的影响 | 第90-93页 |
·催化剂对烃类氧化活性 | 第93-95页 |
·水对烃类氧化活性的影响 | 第95-98页 |
·CO 对烃类氧化活性的影响 | 第98-103页 |
·NO 对烃类氧化活性的影响 | 第103-111页 |
3 小结 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-113页 |
第五章 结论 | 第113-114页 |
博士期间论文发表情况 | 第114-116页 |
致谢 | 第116页 |