氧化钒薄膜的制备及电学性质研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-22页 |
| ·氧化钒研究概况 | 第9-12页 |
| ·氧化钒薄膜的应用 | 第12-16页 |
| ·VO_2薄膜的应用 | 第13-16页 |
| ·V_2O_5薄膜的应用 | 第16页 |
| ·氧化钒几种制备方法介绍与比较 | 第16-21页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第16-17页 |
| ·溅射镀膜 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第19页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积法 | 第19页 |
| ·离子镀膜方法 | 第19-21页 |
| ·本文的选题依据及主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 氧化钒的晶体结构、性质与表征 | 第22-41页 |
| ·V-O化合物体系 | 第22-34页 |
| ·五氧化二钒(V_2O_5) | 第23-24页 |
| ·V_2O_5的性质 | 第23-24页 |
| ·V_2O_5的结构 | 第24页 |
| ·二氧化钒(VO_2) | 第24-30页 |
| ·二氧化钒A型(VO_2(A)型) | 第26-29页 |
| ·VO_2(A)型的物理、化学特性 | 第26页 |
| ·VO_2(A)型的结构 | 第26-27页 |
| ·VO_2(A)型的相变理论 | 第27-28页 |
| ·VO_2(A)型材料的光电特性 | 第28-29页 |
| ·二氧化钒B型(VO_2(B)型) | 第29-30页 |
| ·三氧化二钒(V_2O_3) | 第30-34页 |
| ·V_2O_3的晶体结构 | 第30-31页 |
| ·V_2O_3的性质 | 第31-32页 |
| ·V_2O_3的相变理论 | 第32-34页 |
| ·氧化钒薄膜的表征方法 | 第34-41页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第34-35页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第35-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第38-39页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第39-41页 |
| 第三章 实验方法与过程 | 第41-51页 |
| ·实验内容 | 第41页 |
| ·实验过程 | 第41-51页 |
| ·清洗 | 第41-43页 |
| ·基片清洗 | 第41-43页 |
| ·真空退火石英管清洗 | 第43页 |
| ·薄膜制备 | 第43-48页 |
| ·V_2O_5薄膜制备过程 | 第43-44页 |
| ·真空蒸发过程中一些影响因素的讨论 | 第44-48页 |
| ·真空退火 | 第48页 |
| ·样品测试 | 第48-49页 |
| ·电阻温度测试 | 第49-51页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第51-67页 |
| ·衬底材料对薄膜制备的影响 | 第51-55页 |
| ·不同衬底材料上氧化钒薄膜的XRD分析 | 第51-52页 |
| ·不同衬底材料上氧化钒薄膜的AFM分析 | 第52-53页 |
| ·衬底材料对薄膜电阻—温度的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对薄膜制备的影响 | 第55页 |
| ·退火温度对薄膜的影响 | 第55-62页 |
| ·退火温度对薄膜物相的影响 | 第56-59页 |
| ·退火温度对薄膜价态的影响 | 第59-60页 |
| ·退火温度对薄膜电阻—温度的影响 | 第60-62页 |
| ·退火时间对薄膜制备的影响 | 第62-67页 |
| ·退火时间对VO_2(B)型薄膜的影响 | 第62-64页 |
| ·退火温度对四方晶系VO_2薄膜的影响 | 第64-67页 |
| 第五章 结论及工作展望 | 第67-70页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·工作展望 | 第68-70页 |
| ·膜厚对薄膜制备的影响 | 第68页 |
| ·VO_2(A)型薄膜的制备工艺研究 | 第68页 |
| ·真空度的影响 | 第68-69页 |
| ·降低VO_2(A)型相变点的研究 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
