| 第一章 引 言 | 第1-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-30页 |
| 第2．1节 分子束外延 | 第12-15页 |
| 第2．2节 半导体激光器 | 第15-17页 |
| 第2．3节 中红外波段锑化物激光器 | 第17-26页 |
| 2．3．1 2μm波段AIGaAsSb/InGaAsSb激光器 | 第19-24页 |
| 2．3．2 3-5μm波段锑化物激光器 | 第24-26页 |
| 第2．4节 2μm波段InGaAsSb探测器 | 第26-27页 |
| 第2．5节 存在的问题 | 第27-28页 |
| 第2．6节 小结与展望 | 第28-30页 |
| 第三章 锑化物材料的分子束外延生长 | 第30-48页 |
| 第3．1节 国产IV型分子束外延系统 | 第30-31页 |
| 第3．2节 分子束外延生长基本步骤 | 第31-33页 |
| 第3．3节 束流的校准 | 第33-34页 |
| 第3．4节 AIGaAsSb的MBE生长 | 第34-37页 |
| 3．4．1 AIGaAsSb的MBE生长与特性 | 第34-36页 |
| 3．4．2 AIGaAsSb的掺杂 | 第36-37页 |
| 第3．5节 InGaAsSb的MBE生长 | 第37-42页 |
| 3．5．1 应变对InGaSb不互溶隙的影响 | 第37-40页 |
| 3．5．2 InGaAsSb的分子束外延生长 | 第40-42页 |
| 第3．6节 AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的MBE生长与特性 | 第42-46页 |
| 第3．7节 小结 | 第46-48页 |
| 第四章 AIGaAsSb/InGaAsSb应变量子阱激光器设计 | 第48-70页 |
| 第4．1节 引言 | 第48页 |
| 第4．2节 InGaAsSb材料的基本性质 | 第48-53页 |
| 4．2．1 品格常数 | 第48-50页 |
| 4．2．2 禁带宽度 | 第50-51页 |
| 4．2．3 折射率 | 第51-53页 |
| 第4．3节 AGaAsSb材料的基本性质 | 第53-55页 |
| 4．3．1 禁带宽度 | 第53页 |
| 4．3．2 折射率 | 第53页 |
| 4．3．3 热导率 | 第53-55页 |
| 第4．4节 AIGaAsSb/InGaAsSb应变多量子阱的能带结构 | 第55-64页 |
| 4．4．1 AIGaAsSb/InGaAsSb异质结能带结构 | 第55-57页 |
| 4．4．2 AIGaAsSb/InGaAsSb应变量子阱的能带结构 | 第57-62页 |
| 4．4．3 AIGaAsSb/InGaAsSb应变补偿量子阱激光器 | 第62-64页 |
| 第4．5节 AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器的限制因子 | 第64-69页 |
| 第4．6节 小结 | 第69-70页 |
| 第五章 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器 | 第70-101页 |
| 第5．1节 引言 | 第70页 |
| 第5．2节 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器材料结构 | 第70-71页 |
| 第5．3节 激光器器件工艺 | 第71-77页 |
| 5．3．1 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb脊波导激光器 | 第71-75页 |
| 5．3．2 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb台面宽条激光器 | 第75-76页 |
| 5．3．3 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb平面宽条激光器 | 第76-77页 |
| 第5．4节 激光器器件的表征方法 | 第77-79页 |
| 第5．5节 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb脊波导激光器 | 第79-94页 |
| 5．5．1 器件的电学特性 | 第79-80页 |
| 5．5．2 器件的温度特性 | 第80-83页 |
| 5．5．3 不同占空比对器件性能的影响 | 第83-84页 |
| 5．5．4 I-P曲线的扭折 | 第84-89页 |
| 5．5．5 寿命测试 | 第89-94页 |
| 第5．6节 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb台面宽条激光器 | 第94-98页 |
| 5．6．1 连续工作方式 | 第94-95页 |
| 5．6．2 脉冲工作方式 | 第95-98页 |
| 第5．7节 2μm AIGaAsSb/InGaAsSb平面宽条激光器 | 第98-100页 |
| 第5．8节 小结 | 第100-101页 |
| 第六章 InGaAsSb PIN探测器器件物理与性能的研究 | 第101-121页 |
| 第6．1节 引言 | 第101页 |
| 第6．2节 表征探测器性能的基本参数 | 第101-104页 |
| 第6．3节 探测器器件物理研究 | 第104-114页 |
| 6．3．1 InGaAsSb PIN探测器的噪声 | 第104-111页 |
| 6．3．2 AIGaAsSb/InGaAsSb PIN探测器 | 第111-114页 |
| 第6．4节 探测器光谱响应的测量 | 第114-115页 |
| 第6．5节 探测器响应度和探测率的测量 | 第115-117页 |
| 第6．6节 InGaAsSb探测器在测量2μm激光器性能中的应用 | 第117-120页 |
| 第6．7节 小结 | 第120-121页 |
| 第七章 结论 | 第121-124页 |
| 参考文献 | 第124-133页 |
| 发表文章目录 | 第133-135页 |
| 获奖与科技成果 | 第135页 |
| 参加的研究课题一览表 | 第135-136页 |
| 个人简历 | 第136-159页 |
