纳米Si-SiN_X复合薄膜发光与非线性光学性质的研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 前言 | 第8-11页 |
| 第一章 硅基薄膜材料概述 | 第11-17页 |
| ·硅基材料的研究意义 | 第11-12页 |
| ·硅基纳米薄膜材料的研究进展 | 第12-14页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第12-13页 |
| ·硅基纳米材料非线性光学研究进展 | 第13-14页 |
| ·本课题研究工作思路 | 第14-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 硅基薄膜材料的光学理论基础 | 第17-24页 |
| ·硅基纳米薄膜材料光致发光机理 | 第17-19页 |
| ·量子限制发光模型 | 第17-18页 |
| ·表面态模型 | 第18页 |
| ·缺陷发光模型 | 第18页 |
| ·量子限制效应—发光中心发光模型 | 第18-19页 |
| ·半导体材料的光学非线性理论简述 | 第19-23页 |
| ·非线性光学机制 | 第19-20页 |
| ·非线性折射率 | 第20-21页 |
| ·非线性吸收 | 第21-22页 |
| ·半导体纳米晶的三阶非线性增强机制 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 薄膜的制备工艺及表征 | 第24-40页 |
| ·射频磁控反应溅射镀膜的基本原理 | 第24-27页 |
| ·射频磁控原理与特性 | 第24-26页 |
| ·反应溅射原理与特性 | 第26-27页 |
| ·实验装置 | 第27页 |
| ·工艺流程 | 第27-30页 |
| ·基片和靶材的准备及清洗 | 第27-28页 |
| ·溅射镀 SiN_x 薄膜的详细操作程序 | 第28-29页 |
| ·退火处理过程 | 第29-30页 |
| ·薄膜制备工艺参数 | 第30-31页 |
| ·薄膜制备工艺规律 | 第31-38页 |
| ·工艺参数对沉积速率的关系 | 第31-33页 |
| ·溅射时间t 与沉积速率的关系 | 第31页 |
| ·氩气流量、氮气流量与沉积速率的关系 | 第31-32页 |
| ·溅射功率与沉积速率的关系 | 第32-33页 |
| ·工艺参数对薄膜组分结构的关系 | 第33-38页 |
| ·工作气体流量及溅射功率对薄膜组分的关系 | 第33页 |
| ·红外谱研究薄膜的化学结构 | 第33-34页 |
| ·薄膜中纳米晶硅的形成与相关工艺参量间的关系 | 第34-37页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 薄膜的光吸收及光发射特性研究 | 第40-50页 |
| ·薄膜的光吸收及带隙 | 第40-43页 |
| ·薄膜的紫外可见谱测试 | 第40页 |
| ·实验结果 | 第40-43页 |
| ·流量比R 对薄膜光吸收及带隙的影响 | 第40-42页 |
| ·退火温度对薄膜光吸收及带隙的影响 | 第42-43页 |
| ·分析讨论 | 第43页 |
| ·薄膜的光致发光特性 | 第43-49页 |
| ·实验测试 | 第43-44页 |
| ·实验结果 | 第44-46页 |
| ·在265nm 光激发下的发光特征 | 第44-45页 |
| ·在510nm 光激发下的发光特征 | 第45-46页 |
| ·光致发光机制讨论 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 薄膜的三阶光学非线性研究 | 第50-63页 |
| ·单光束Z－扫描的基本理论 | 第50-54页 |
| ·Z－扫描的描述 | 第50-51页 |
| ·单光束 Z-扫描的测量原理 | 第51-52页 |
| ·计算方法 | 第52-54页 |
| ·薄膜的三阶光学非线性特征 | 第54-61页 |
| ·样品制备及测试 | 第54-55页 |
| ·非线性Z 扫描实验研究 | 第55-61页 |
| ·1064nm 激光下的非线性光学特征 | 第56-58页 |
| ·532nm 激光下的非线性光学特征 | 第58-59页 |
| ·分析讨论 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜被动调Q 特性研究 | 第63-67页 |
| ·nc-Si/SiN_X 薄膜的制备及测试 | 第63页 |
| ·调Q 实验研究 | 第63-66页 |
| ·实验装置 | 第63-64页 |
| ·结果与分析 | 第64-66页 |
| ·样品结构特性对调Q 激光脉冲的影响 | 第64-65页 |
| ·抽运电压对调Q 激光脉冲的影响 | 第65-66页 |
| ·激光器腔长L 对调Q 激光脉冲的影响 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
