| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 概论 | 第7-13页 |
| §1.1 前言 | 第7-9页 |
| §1.2 半导体照明应用概述 | 第9-10页 |
| §1.3 GaN基LED的发展简史 | 第10-11页 |
| §1.4 GaN基LED的特点 | 第11-12页 |
| §1.5 本论文的工作和论文安排 | 第12-13页 |
| 第二章 GaN基垂直结构LED制备工艺 | 第13-23页 |
| §2.1 GaN基LED的基本结构 | 第13-15页 |
| §2.2 芯片制备工艺 | 第15-23页 |
| 第三章 酸性光亮镀铜 | 第23-34页 |
| §3.1 电镀铜的种类及特点 | 第23-24页 |
| §3.2 酸性光亮镀铜 | 第24-30页 |
| §3.3 电镀铜机理 | 第30-33页 |
| §3.4 小结 | 第33-34页 |
| 第四章 GaN基垂直结构LED铜衬底研究 | 第34-43页 |
| §4.1 铜衬底电镀工艺步骤 | 第34-39页 |
| §4.2 技术难点 | 第39-41页 |
| §4.3 电镀铜衬底的特性分析研究 | 第41-43页 |
| 第五章 电镀铜衬底的性质分析 | 第43-50页 |
| §5.1 镀铜层的内应力 | 第43-47页 |
| §5.2 镀铜层的硬度分析 | 第47-48页 |
| §5.3 GaN基垂直结构LED芯片与铜衬底的可靠性研究 | 第48-49页 |
| §5.4 小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |