摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
·引言 | 第9-10页 |
·商用LED的分类 | 第10-12页 |
·多芯片类型 | 第10-11页 |
·单芯片类型 | 第11-12页 |
·硼酸盐基荧光材料的基本结构和性质 | 第12-15页 |
·几种主要的硼酸盐基发光材料的结构 | 第12-13页 |
·正硼酸盐基 | 第12页 |
·三硼酸盐基 | 第12-13页 |
·多硼酸盐基 | 第13页 |
·常用的激活剂 | 第13-15页 |
·稀土离子 | 第13-14页 |
·过渡金属离子 | 第14页 |
·其它离子 | 第14-15页 |
·本论文的研究目标 | 第15-17页 |
第二章 样品的表征手段和制备方法 | 第17-26页 |
·实验中所用的药品和仪器 | 第17-18页 |
·实验中所用的药品 | 第17页 |
·实验设备 | 第17-18页 |
·荧光材料的表征方法 | 第18-20页 |
·X射线衍射分析 | 第18-19页 |
·扫描电镜 | 第19-20页 |
·荧光分光光度计 | 第20页 |
·常用的荧光材料的制备方法 | 第20-25页 |
·高温固相法 | 第20-21页 |
·溶胶-凝胶法(sol-gel法) | 第21-24页 |
·沉淀法 | 第24页 |
·水热法 | 第24-25页 |
·本章小结 | 第25-26页 |
第三章 Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)的性质、形貌分析 | 第26-34页 |
·引言 | 第26-27页 |
·样品的制备 | 第27-28页 |
·Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)的基本性质 | 第28-34页 |
·XRD | 第28-30页 |
·激发谱 | 第30-31页 |
·发射谱 | 第31-32页 |
·SEM分析 | 第32-34页 |
第四章 探讨影响Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光强度的因素 | 第34-49页 |
·引言 | 第34页 |
·合成温度对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第34-38页 |
·Eu~(3+)的浓度对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第38-42页 |
·合成时间对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第42-44页 |
·硼的量对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第44-45页 |
·C_6H_8O_7H_2O的量对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第45-47页 |
·Eu~(3+)、Gd~(3+)共掺杂对Na_3Y(BO_3)_2:Eu~(3+)发光性质的影响 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
硕士期间发表的论文 | 第58页 |