| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·磁头/磁盘保护膜研究现状 | 第15-18页 |
| ·新一代磁头/磁盘保护膜 | 第18-21页 |
| ·新一代磁头/磁盘保护膜材料的选择 | 第18-19页 |
| ·a-SiN_x薄膜的结构与性能 | 第19-21页 |
| ·a-SiN_x的制备方法 | 第21-28页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第21-24页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD) | 第22页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第22-23页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD) | 第23页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第23-24页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第24-28页 |
| ·真空蒸镀 | 第25页 |
| ·离子镀 | 第25-26页 |
| ·脉冲激光辅助沉积(PLD) | 第26页 |
| ·离子束辅助沉积(IBED) | 第26-27页 |
| ·溅射沉积(SD) | 第27-28页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第28-31页 |
| 2 微波ECR磁控溅射系统及a-SiN_x薄膜的表征方法 | 第31-43页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第31-32页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术 | 第32-35页 |
| ·a-SiN_x薄膜的沉积过程 | 第35页 |
| ·a-SiN_x薄膜的表征方法 | 第35-42页 |
| ·a-SiN_x薄膜结构、成分表征 | 第36-37页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第36页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第36-37页 |
| ·a-SiN_x薄膜表面形貌、微观结构表征 | 第37-38页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第37-38页 |
| ·透射电子显微镜 | 第38页 |
| ·原子力显微镜 | 第38页 |
| ·a-SiN_x薄膜机械性能表征 | 第38-41页 |
| ·纳米压痕仪 | 第39页 |
| ·摩擦磨损仪 | 第39-40页 |
| ·膜厚量测仪 | 第40-41页 |
| ·等离子体参数测试 | 第41-42页 |
| ·朗缪尔探针 | 第41页 |
| ·等离子体发射光谱 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 3 a-SiN_x薄膜生长特性及其结构的研究 | 第43-59页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·a-SiN_x薄膜的制备工艺 | 第43-44页 |
| ·a-SiN_x薄膜生长特性研究 | 第44-58页 |
| ·微波功率对a-SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第44-47页 |
| ·微波功率对a-SiN_x薄膜FT-IR光谱的影响 | 第44-46页 |
| ·微波功率对a-SiN_x薄膜生长速率的影响 | 第46-47页 |
| ·微波功率对等离子体性质的影响 | 第47-54页 |
| ·微波功率对等离子体密度的影响 | 第47-49页 |
| ·微波功率对等离子体发射光谱的影响 | 第49-54页 |
| ·沉积偏压对a-SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 4 N/Si原子比例对a-SiN_x薄膜性能影响的研究 | 第59-96页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·制备不同N/Si原子比例的a-SiN_x薄膜 | 第59-60页 |
| ·N_2流量对a-SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第60-88页 |
| ·N_2流量对a-SiN_x薄膜结构、成分的影响 | 第60-71页 |
| ·FT-IR测试结果及分析 | 第60-62页 |
| ·XPS测试结果及分析 | 第62-71页 |
| ·N_2流量对a-SiN_x薄膜性能的影响 | 第71-79页 |
| ·薄膜抗腐蚀性能 | 第71-72页 |
| ·薄膜硬度 | 第72-73页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第73-75页 |
| ·薄膜摩擦磨损性能 | 第75-78页 |
| ·薄膜生长速率 | 第78-79页 |
| ·N_2流量对等离子体参数的影响 | 第79-88页 |
| ·N_2流量对等离子体密度的影响 | 第80-85页 |
| ·N_2流量对Si靶溅射率的影响 | 第85-88页 |
| ·Si靶溅射功率对a-SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第88-94页 |
| ·Si靶溅射功率对a-SiN_x薄膜结构、成分的影响 | 第88-90页 |
| ·FT-IR测试结果及分析 | 第88-89页 |
| ·XPS测试结果及分析 | 第89-90页 |
| ·Si靶溅射功率对a-SiN_x薄膜性能的影响 | 第90-94页 |
| ·薄膜硬度 | 第90-91页 |
| ·薄膜生长速率 | 第91页 |
| ·薄膜摩擦磨损性能 | 第91-92页 |
| ·OES测试结果 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 5 超薄a-SiN_x薄膜的制备与性能分析 | 第96-111页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·制备不同厚度的a-SiN_x薄膜 | 第96页 |
| ·沉积时间对a-SiN_x薄膜性能的影响 | 第96-105页 |
| ·薄膜厚度 | 第96-98页 |
| ·FT-IR测试结果及分析 | 第98-99页 |
| ·薄膜硬度 | 第99-100页 |
| ·抗腐蚀性能 | 第100-101页 |
| ·抗磨损性能 | 第101-103页 |
| ·表面形貌 | 第103-105页 |
| ·a-SiN_x薄膜膜厚极限探索及磁头仿真腐蚀测试 | 第105-110页 |
| ·超薄a-SiN_x薄膜的制备 | 第105页 |
| ·超薄a-SiN_x薄膜抗腐蚀性能 | 第105-107页 |
| ·a-SiN_x薄膜膜厚极限测试 | 第107-108页 |
| ·超薄a-SiN_x薄膜抗磨损性能测试 | 第108页 |
| ·超薄a-SiN_x薄膜表面形貌 | 第108-109页 |
| ·超薄a-SiN_x薄膜的结构 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 结论 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-121页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第121-122页 |
| 创新点摘要 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
