| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·SiC 的晶体结构 | 第12页 |
| ·SiC 粉体的合成方法 | 第12-20页 |
| ·固相法 | 第13-15页 |
| ·液相法 | 第15-18页 |
| ·气相法 | 第18-20页 |
| ·各种合成技术的比较 | 第20-21页 |
| ·存在的问题及展望 | 第21页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第21-23页 |
| 2 实验主要原料、设备及实验方法 | 第23-27页 |
| ·实验原料及设备 | 第23-24页 |
| ·实验原料 | 第23页 |
| ·主要实验设备 | 第23-24页 |
| ·实验方法 | 第24-27页 |
| ·正交实验设计 | 第24页 |
| ·SiC 粉体的制备 | 第24-25页 |
| ·反应产物中SiC 纯度的化学分析 | 第25-26页 |
| ·SiC 二次粒径的测量 | 第26页 |
| ·SiC 粉体的形貌及物相组成分析 | 第26-27页 |
| 3 不加稀土元素时SiC 粉体合成工艺研究 | 第27-37页 |
| ·碳热还原法合成SiC 粉体反应机理探讨 | 第27-31页 |
| ·热力学分析 | 第27-30页 |
| ·SiC 颗粒的成核与生长 | 第30-31页 |
| ·SiC 粉体合成的TG-DSC 综合热分析 | 第31-32页 |
| ·SiC 粉体合成工艺的研究 | 第32-37页 |
| ·合成温度对碳热还原反应程度的作用 | 第32-33页 |
| ·合成温度对SiC 粉体纯度的影响 | 第33-35页 |
| ·合成温度对SiC 粉体形貌和粒度的影响 | 第35-37页 |
| 4 稀土镧对合成SiC 粉体的影响 | 第37-55页 |
| ·正交实验设计 | 第37-38页 |
| ·正交实验反应产物的XRD 分析 | 第38-41页 |
| ·正交实验结果的计算与分析 | 第41-45页 |
| ·合成工艺参数的研究 | 第45-55页 |
| ·La_20_3加入量的影响 | 第45-48页 |
| ·合成温度的影响 | 第48-51页 |
| ·保温时间的影响 | 第51-55页 |
| 5 稀土铈对合成SiC 粉体的影响 | 第55-73页 |
| ·正交实验设计 | 第55-56页 |
| ·正交实验反应产物的XRD 分析 | 第56-59页 |
| ·正交实验结果的计算与分析 | 第59-64页 |
| ·合成工艺参数的研究 | 第64-73页 |
| ·CeO_2加入量的影响 | 第64-67页 |
| ·合成温度的影响 | 第67-70页 |
| ·保温时间的影响 | 第70-73页 |
| 6 稀土镧和铈对碳热还原法合成SiC 粉体的作用比较 | 第73-74页 |
| 7 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 在学研究成果 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |