| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·纳米科技简述 | 第7-8页 |
| ·纳米材料的特性 | 第8-11页 |
| ·纳米ZnO 的材料的性质 | 第11-15页 |
| ·一维纳米ZnO 的制备方法 | 第15-17页 |
| ·一维纳米ZnO 的生长机理 | 第17-19页 |
| ·本论文研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 化学气相沉积法（CVD）与ZnO 纳米线的表征原理 | 第20-29页 |
| ·CVD 法制备ZnO 纳米线 | 第20-23页 |
| ·ZnO 纳米线的表征原理 | 第23-29页 |
| 第三章 SI 衬底对ZnO 纳米线阵列生长的影响 | 第29-42页 |
| ·Si 衬底生长面的朝向对ZnO 纳米线阵列生长的影响 | 第29-37页 |
| ·Si 衬底对ZnO 纳米线阵列生长方向的调控作用 | 第37-42页 |
| 第四章 （掺AL）ZnO 纳米线阵列的光致发光性能 | 第42-51页 |
| ·半导体发光基础理论 | 第42-44页 |
| ·掺AlZnO 纳米线阵列的光致发光特性 | 第44-48页 |
| ·纯ZnO 纳米线阵列的光致发光特性 | 第48-50页 |
| ·掺Al 对ZnO 纳米线阵列的光致发光特性的影响规律 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 个人介绍及攻硕期间的研究成果 | 第57-58页 |
