| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-19页 |
| 第二章 文献综述 | 第19-39页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·氢化非晶硅碳材料的特点及研究现状 | 第20-22页 |
| ·氢化非晶硅碳材料的特点 | 第20-21页 |
| ·氢化非晶硅碳材料的研究现状 | 第21-22页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HFCVD or HWCVD) | 第23页 |
| ·等离子体化学气相沉积法(PECVD) | 第23-24页 |
| ·电子回旋共振化学气相沉积法(ECR-CVD) | 第24页 |
| ·溅射法(sputtering) | 第24-25页 |
| ·光增强化学气相沉积(LECVD) | 第25页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的应用 | 第25-28页 |
| ·太阳能电池的窗口材料 | 第25-26页 |
| ·发光二极管(LED) | 第26-27页 |
| ·硅基发光材料 | 第27页 |
| ·传感器 | 第27-28页 |
| ·薄膜晶体管(TFT) | 第28页 |
| ·光电探测器 | 第28页 |
| ·电容耦合等离子体化学气相沉积法(CCP-CVD) | 第28-29页 |
| ·电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD) | 第29-31页 |
| ·非晶态硅碳的晶化研究 | 第31-37页 |
| ·晶态硅碳薄膜的制备方法 | 第31-33页 |
| ·金属诱导非晶态薄膜的晶化研究 | 第33-36页 |
| ·金属在低温诱导中的作用 | 第36-37页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第37-39页 |
| 第三章 实验方法 | 第39-48页 |
| ·实验设备与材料 | 第39-42页 |
| ·实验设备 | 第39-41页 |
| ·实验材料 | 第41-42页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第42-43页 |
| ·电容耦合PECVD法沉积a-Si_(1-x)C_x:H薄膜 | 第42页 |
| ·电感耦合PECVD法沉积薄膜步骤 | 第42页 |
| ·Al/a-Si_(1-x)C_x:H复合薄膜的沉积 | 第42-43页 |
| ·薄膜样品的退火处理与分析测试 | 第43页 |
| ·测试方法 | 第43-48页 |
| ·膜厚测试 | 第43页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第43页 |
| ·红外光谱分析(IR) | 第43页 |
| ·Raman光谱分析 | 第43-44页 |
| ·紫外可见光谱测试分析(UV-VIS) | 第44-45页 |
| ·场发射扫描电镜(FE-SEM)测试 | 第45页 |
| ·X射线能谱仪 | 第45页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)测试 | 第45-46页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM) | 第46页 |
| ·薄膜电阻率测试 | 第46-48页 |
| 第四章 电容耦合PECVD法在玻璃基板上制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜及其结构和性能研究 | 第48-66页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·试验过程与方法 | 第48-49页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的制备研究 | 第49-52页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的键结构及Si-C键的形成 | 第52-56页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能与薄膜中成键的关系研究 | 第56-62页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜中非晶网络结构畸变研究 | 第62-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 电容耦合PECVD法在硅基板上制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜及其结构和性能研究 | 第66-74页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·试验过程与方法 | 第66-67页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的制备与结构研究 | 第67-71页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的电学性能研究 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第六章 电感耦合PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜及其结构和性能的研究 | 第74-98页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·试验过程与方法 | 第74-75页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的制备研究 | 第75-78页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的键结构及Si-C键的形成 | 第78-80页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能与薄膜中成键关系研究 | 第80-84页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的电学性能与非晶网络结构畸变研究 | 第84-87页 |
| ·不同耦合方法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的结构和性能对比研究 | 第87-96页 |
| ·小结 | 第96-98页 |
| 第七章 Al/a-Si_(1-x)C_x:H复合薄膜的结构、结晶性能研究 | 第98-115页 |
| ·引言 | 第98页 |
| ·试验过程与方法 | 第98-99页 |
| ·Al/a-Si_(1-x)C_x:H复合薄膜的制备研究 | 第99-101页 |
| ·Al/a-Si_(1-x)C_x:H复合薄膜的结构研究 | 第101-105页 |
| ·Al诱导a-Si_(1-x)C_x:H晶化的机理 | 第105-108页 |
| ·Al/a-Si_(1-x)C_x:H复合薄膜的晶化过程研究 | 第108-113页 |
| ·小结 | 第113-115页 |
| 第八章 研究总结与展望 | 第115-119页 |
| ·研究总结 | 第115-118页 |
| ·存在的问题与展望 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 附录一:作者攻读博士期间发表和撰写的论文 | 第131-133页 |
| 附录二:作者攻读博士期间申请的专利 | 第133页 |
