射频反应磁控溅射制备氮化铜(Cu3N)薄膜及其性能研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-6页 |
目录 | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第8-26页 |
·薄膜概述 | 第8-14页 |
·引言 | 第8页 |
·薄膜研究的发展概况 | 第8-10页 |
·薄膜的制备方法 | 第10-12页 |
·薄膜的特征 | 第12-14页 |
·薄膜的应用 | 第14页 |
·氮化铜薄膜的研究进展及现状 | 第14-22页 |
·引言 | 第14-15页 |
·结构及基本特性 | 第15-16页 |
·形貌特征 | 第16-17页 |
·电学性质 | 第17-19页 |
·光学性能 | 第19-20页 |
·力学性质 | 第20页 |
·应用前景及发展方向 | 第20-22页 |
·本文研究目的和主要内容 | 第22-23页 |
参考文献 | 第23-26页 |
第二章 射频反应磁控溅射制备方法机理分析 | 第26-37页 |
·射频反应磁控溅射法原理 | 第26-31页 |
·直流辉光放电 | 第26-27页 |
·射频辉光放电 | 第27-28页 |
·射频原理 | 第28-29页 |
·磁控原理 | 第29-30页 |
·反应原理 | 第30-31页 |
·溅射成膜的特性 | 第31-35页 |
·溅射过程 | 第31-32页 |
·薄膜生长模式及形成过程 | 第32-33页 |
·溅射机理 | 第33-35页 |
·溅射的特点和应用 | 第35页 |
·溅射的特点 | 第35页 |
·溅射的应用 | 第35页 |
参考文献 | 第35-37页 |
第三章 射频溅射法制备氮化铜及其表征方法 | 第37-49页 |
·射频磁控溅射实验设备 | 第37-38页 |
·实验材料 | 第38页 |
·样品制备 | 第38-40页 |
·基底清洗 | 第38页 |
·镀膜实验主要操作过程 | 第38-39页 |
·薄膜制备参数 | 第39-40页 |
·样品表征原理技术 | 第40-47页 |
·X射线衍射(XRD)分析 | 第41页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第41-43页 |
·原子力显微镜(AFM)分析 | 第43-44页 |
·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第44-45页 |
·紫外-可见分光光度计测量能隙 | 第45页 |
·四探针法测量电阻率 | 第45-46页 |
·台阶仪 | 第46页 |
·纳米压痕仪 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第四章 氮化铜薄膜的表征结果及讨论 | 第49-68页 |
·不同溅射参数对晶体结构的影响 | 第49-55页 |
·氮气分压的影响 | 第49-52页 |
·纯氮气流量的影响 | 第52-53页 |
·相同氛围下总气体流量的影响 | 第53页 |
·基底温度的影响 | 第53-54页 |
·总气压的影响 | 第54-55页 |
·薄膜的热分析 | 第55-56页 |
·表面形貌特征 | 第56-59页 |
·薄膜表面成分分析 | 第59-61页 |
·电学特性 | 第61-63页 |
·光学特性 | 第63-64页 |
·力学特性 | 第64-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
攻读硕士期间发表论文 | 第71页 |