| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·纳米材料概述 | 第13-15页 |
| ·纳米材料的定义及分类 | 第13页 |
| ·纳米材料的发展 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的特性 | 第14-15页 |
| ·表面效应 | 第14页 |
| ·小尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第15页 |
| ·碳化硅的晶体结构和性质 | 第15-17页 |
| ·碳化硅的结构 | 第15-16页 |
| ·碳化硅的性质 | 第16-17页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的制备方法 | 第17-20页 |
| ·碳纳米管模板法 | 第17-18页 |
| ·电弧放电法 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| ·激光烧蚀法 | 第19页 |
| ·溶胶-凝胶碳热还原法 | 第19-20页 |
| ·溶剂热法 | 第20页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的生长机制 | 第20-22页 |
| ·气相-液相-固相(VLS) | 第20-21页 |
| ·气相-固相(VS) | 第21-22页 |
| ·固相-液相-固相(SLS) | 第22页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的性能及应用 | 第22-25页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的电学性能 | 第23页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的场发射性能 | 第23-24页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的发光性能 | 第24页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的光催化性能 | 第24-25页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的力学性能及在复合材料方面的应用 | 第25页 |
| ·课题研究的意义、目的与内容 | 第25-27页 |
| ·课题研究的意义和目的 | 第25-26页 |
| ·课题研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-32页 |
| ·实验原料 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-28页 |
| ·测试方法 | 第28-32页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第29页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第29-30页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
| ·热重分析(TGA) | 第30页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第30-31页 |
| ·紫外-可见漫发射光谱(UV-Vis DRS) | 第31-32页 |
| 第三章 溶胶-凝胶碳热还原法SiC 纳米线的制备、表征及性能研究 | 第32-47页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·SiC 纳米线的制备与表征 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·样品表征 | 第33页 |
| ·实验结果与讨论 | 第33-45页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第33-34页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第34页 |
| ·影响纳米线生长的因素 | 第34-38页 |
| ·反应温度对纳米线生长的影响 | 第35-36页 |
| ·Si/C 比对纳米线生长的影响 | 第36-37页 |
| ·保温时间对纳米线生长的影响 | 第37-38页 |
| ·透射电镜及选区电子衍射分析 | 第38-40页 |
| ·SiC 纳米线的生长机理分析 | 第40-42页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第42-43页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 以可膨胀石墨为碳源SiC 纳米线的制备、表征及性能研究 | 第47-61页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·SiC 纳米线的制备与表征 | 第47-48页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·样品表征 | 第48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-59页 |
| ·影响纳米线生长的因素 | 第48-54页 |
| ·温度对SiC 纳米线生长的影响 | 第48-50页 |
| ·Si/C 比对SiC 纳米线生长的影响 | 第50页 |
| ·催化剂对SiC 纳米线形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·反应原料混合程度对纳米线生长的影响 | 第52页 |
| ·石墨片上纳米线的生长 | 第52-54页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第54-55页 |
| ·透射电镜及选区电子衍射分析 | 第55-56页 |
| ·SiC 纳米线的生长机理分析 | 第56-57页 |
| ·热重分析 | 第57-58页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 SiC 纳米线的热稳定性研究 | 第61-70页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验 | 第61-62页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第61页 |
| ·热稳定性实验 | 第61页 |
| ·产物的表征 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-69页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第62-63页 |
| ·热处理前产物的形貌分析 | 第63-64页 |
| ·热重分析 | 第64-65页 |
| ·高温处理对SiC 纳米线形貌的影响 | 第65-68页 |
| ·SiC 纳米线在高温下形貌变化的机理分析 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及受理的专利情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
