摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 综述 | 第11-24页 |
·引言 | 第11页 |
·ZnO 材料的基本特性 | 第11-13页 |
·ZnO 材料 | 第13-17页 |
·低维ZnO 材料的常用生长方法 | 第17-24页 |
·溅射法 | 第17-18页 |
·化学气相沉积法(CVD) | 第18-20页 |
·喷雾热分解法(SP) | 第20-21页 |
·脉冲激沉积法(PLD) | 第21-22页 |
·溶胶-凝胶法(Sol‐Gel) | 第22-23页 |
·模板合成法 | 第23-24页 |
第二章 化学气相沉积系统与一维 ZnO 六角截面形成机理 | 第24-36页 |
·用化学气相沉积装置介绍及其原理图 | 第24-25页 |
·一维ZnO 材料的生长机理 | 第25-27页 |
·ZnO 纳米线的一般形貌 | 第27-30页 |
·ZnO 纳米 | 第30-36页 |
第三章 ZnO 一维材料的场发射性能研究 | 第36-50页 |
·场发射场发射理论及应用领域 | 第36-38页 |
·场致电子发射的理论 | 第36-37页 |
·场发射的应用领域 | 第37-38页 |
·发射体表面形貌对场发射性能的影响 | 第38-43页 |
·ZnO 纳米结构的制备、晶体结构和形貌表征 | 第38-40页 |
·ZnO 纳米线的场发射性能测试和分析 | 第40-43页 |
·发射体与衬底的界面结对场发射性能的影响 | 第43-50页 |
·扫描电镜对微米结构的形貌观测 | 第43-44页 |
·电学性能测量 | 第44-45页 |
·场发射性能测量 | 第45-48页 |
·界面异质结的能带分析 | 第48-50页 |
第四章 ZnO 薄膜的生长和p 型掺杂研究 | 第50-60页 |
·P 型ZnO 薄膜的研究现状和掺杂难点 | 第50-53页 |
·目前的研究进展 | 第50-52页 |
·制备P 型ZnO 薄膜的难点 | 第52-53页 |
·外排氮元素溶胶-凝胶法制备高迁移率的P 型ZnO 薄膜 | 第53-60页 |
·薄膜制备的实验过程 | 第54页 |
·X 射线衍射分析 | 第54-55页 |
·电学性能测试 | 第55-57页 |
·扫描俄歇微探针分析 | 第57-58页 |
·紫外-可见分光光度计 | 第58-60页 |
总结与展望 | 第60-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
硕士期间论文发表 | 第70页 |