热丝法低温制备多晶硅薄膜及其特性分析
| 独创性说明 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·太阳能电池的意义 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的发展及现状 | 第9-13页 |
| ·单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池 | 第10-11页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第11-13页 |
| ·多晶硅薄膜( Poly-Si)的结构特点 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜( Poly-Si)的制备方法 | 第14-22页 |
| ·固相晶化法(SPC) | 第15-18页 |
| ·区域熔化再结晶(ZMR) | 第18-19页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19-22页 |
| 2 热丝 CVD法制备多晶硅薄膜的研究及发展前景 | 第22-30页 |
| ·反应机制 | 第22-23页 |
| ·衬底 | 第23-24页 |
| ·热丝材料 | 第24-25页 |
| ·其它工艺参数的影响 | 第25-26页 |
| ·HWCVD技术与其它制备技术的结合 | 第26页 |
| ·器件应用上的研究进展 | 第26-28页 |
| ·多(微)晶硅薄膜太阳能电池 | 第26-27页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管(TFTs) | 第27-28页 |
| ·热丝法制备多晶硅薄膜技术的展望 | 第28-29页 |
| ·改善晶粒尺寸及形态从而提高多晶硅薄膜的光电性能 | 第28页 |
| ·控制晶体定向生长以获得理想的表面织构特性 | 第28-29页 |
| ·改善技术，实现大面积均匀沉积 | 第29页 |
| ·本文研究目的和内容 | 第29-30页 |
| 3 多晶硅薄膜沉积样品制备与研究 | 第30-38页 |
| ·热丝 CVD法沉积多晶硅薄膜系统 | 第30-31页 |
| ·实验真空系统沉积装置 | 第30-31页 |
| ·其它系统装置 | 第31页 |
| ·样品制备及工艺 | 第31-33页 |
| ·衬底准备 | 第31-32页 |
| ·热丝的选择与设计 | 第32-33页 |
| ·实验工艺参数选择 | 第33页 |
| ·多晶硅薄膜样品的表征 | 第33-38页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| ·Raman光谱散射 | 第35页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第35-38页 |
| 4 (100)单晶硅片上低温沉积多晶硅薄膜 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·试验 | 第38-39页 |
| ·沉积温度对薄膜的影响 | 第39-43页 |
| ·不同热丝温度下沉积薄膜的数据分析 | 第39-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-43页 |
| ·沉积气压对薄膜的影响 | 第43-45页 |
| ·SiH_4场浓度对薄膜的影响 | 第45-46页 |
| ·本章结论 | 第46-48页 |
| 5 在普通玻璃片上低温沉积多晶硅薄膜 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·试验 | 第48页 |
| ·不同热丝/衬底间距下多晶硅薄膜的研究 | 第48-57页 |
| ·不同热丝/衬底间距下薄膜样品的制备 | 第48-49页 |
| ·XRD的观察结果及讨论 | 第49-51页 |
| ·Raman的观察结果及讨论 | 第51-56页 |
| ·AFM的观察结果及讨论 | 第56-57页 |
| ·本章结论 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第69页 |
