| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| ·引言 | 第7-10页 |
| ·发展太阳能电池的意义 | 第7-8页 |
| ·太阳能电池的种类及应用 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的原理 | 第9-10页 |
| ·CIS太阳能电池的研究进展 | 第10-21页 |
| ·国内外CIS太阳能电池研发现状 | 第10-12页 |
| ·CuInSe_2晶体结构与材料性能 | 第12-16页 |
| ·CuInSe_2薄膜制备方法 | 第16-21页 |
| ·CIS的电沉积方法制备 | 第21-26页 |
| ·电沉积制备CuInSe_2薄膜的原理 | 第21-24页 |
| ·电沉积工艺参数对材料制备的影响 | 第24-26页 |
| ·本论文的目的和内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验过程与测试分析 | 第27-42页 |
| ·实验过程 | 第27-35页 |
| ·衬底材料的选择 | 第27-28页 |
| ·Mo背电极的制备 | 第28-29页 |
| ·电沉积CuInSe_2薄膜的实验分析与设计 | 第29-31页 |
| ·电沉积制备CuInSe_2薄膜的实验方法 | 第31-34页 |
| ·薄膜的热处理 | 第34-35页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第35-38页 |
| ·四探针(FPM)分析 | 第35-36页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第36页 |
| ·扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析 | 第36页 |
| ·原子力电镜(AFM)分析 | 第36-37页 |
| ·电感耦合等离子体激发原子发射光谱(ICP-AES)分析 | 第37页 |
| ·紫外-可见光谱(UV-vis)分析 | 第37页 |
| ·循环伏安(CV)分析 | 第37-38页 |
| ·Mo薄膜的结果分析 | 第38-42页 |
| ·Mo薄膜的相结构 | 第38-39页 |
| ·Mo薄膜的表面形貌 | 第39-40页 |
| ·Mo薄膜电阻率的测定 | 第40-41页 |
| ·Mo薄膜的光学特性 | 第41-42页 |
| 第三章 电沉积制备CIS的性能分析 | 第42-59页 |
| ·电化学沉积原理 | 第42页 |
| ·电解液体系对薄膜的影响 | 第42-51页 |
| ·电解液体系选择 | 第42-43页 |
| ·电流密度的影响 | 第43-44页 |
| ·络合剂浓度对薄膜的影响 | 第44-45页 |
| ·沉积电位对薄膜的影响 | 第45-49页 |
| ·热处理温度对薄膜的影响 | 第49-51页 |
| ·分步沉积CIS材料的分析 | 第51-53页 |
| ·沉积薄膜的XRD分析 | 第52页 |
| ·沉积薄膜的EDS能谱分析 | 第52-53页 |
| ·循环伏安法初探CIS的反应历程 | 第53-58页 |
| ·CIS电沉积的反应历程分析 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 缓冲层材料的制备 | 第59-72页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·化学水浴法(CBD)沉积原理 | 第60-61页 |
| ·化学水浴方法法制备硫化镉 | 第61-64页 |
| ·实验装置 | 第61-62页 |
| ·CBD法制备CdS的工艺流程 | 第62-63页 |
| ·CdS薄膜沉积过程 | 第63页 |
| ·CdS薄膜的热处理 | 第63-64页 |
| ·实验条件对实验结果的影响 | 第64-66页 |
| ·反应物质浓度对CdS薄膜的影响 | 第64-65页 |
| ·其他因素的影响 | 第65-66页 |
| ·硫化镉薄膜的性能分析 | 第66-71页 |
| ·CdS薄膜的SEM分析 | 第67-68页 |
| ·CdS薄膜的XRD分析 | 第68-69页 |
| ·CdS薄膜的光学性能 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 器件的试制 | 第72-75页 |
| ·电池的制备工艺 | 第72页 |
| ·电池的测试结果 | 第72-73页 |
| ·测试结果讨论 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 结论与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 学位论文独创性声明 | 第85页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第85页 |