| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·纳米技术 | 第7页 |
| ·纳米半导体 | 第7-8页 |
| ·TiO_2薄膜概述 | 第8-10页 |
| ·TiO_2的三种晶体结构 | 第8-9页 |
| ·TiO_2薄膜材料的特性 | 第9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·TiO_2薄膜制备方法 | 第10-14页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第11页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第11页 |
| ·溅射镀膜法 | 第11-14页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验设备及其TiO_2薄膜制备过程 | 第16-22页 |
| ·实验设备 | 第16-17页 |
| ·衬底清洗设备 | 第16页 |
| ·磁控溅射镀膜机及其他设备 | 第16页 |
| ·试剂及制造单位 | 第16页 |
| ·基片及生产单位 | 第16-17页 |
| ·检测仪器 | 第17页 |
| ·TiO_2薄膜的制备过程 | 第17-22页 |
| ·溅射靶的制备 | 第17-18页 |
| ·基片的清洗 | 第18-19页 |
| ·薄膜的制备 | 第19-22页 |
| 第三章 工艺参数对制备TiO_2薄膜的影响 | 第22-35页 |
| ·实验部分 | 第22页 |
| ·测试 | 第22页 |
| ·靶基距对TiO_2薄膜沉积速率和性能的影响 | 第22-25页 |
| ·沉积速率与靶基距的关系 | 第22-24页 |
| ·靶基距对薄膜折射率的影响 | 第24-25页 |
| ·靶基距对薄膜表面形貌的影响 | 第25页 |
| ·氩气压强对TiO_2薄膜沉积速率和性能的影响 | 第25-31页 |
| ·实验部分 | 第25-26页 |
| ·薄膜沉积速率与氩气压强的关系 | 第26-27页 |
| ·氩气压强对薄膜折射率的影响 | 第27-28页 |
| ·氩气压强对薄膜电学性能的影响 | 第28-29页 |
| ·氩气压强对薄膜表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| ·溅射功率对TiO_2薄膜沉积速率和薄膜性能的影响 | 第31-35页 |
| ·样品制备 | 第31页 |
| ·薄膜沉积速率与溅射功率的关系 | 第31-33页 |
| ·溅射功率对薄膜折射率的影响 | 第33-35页 |
| 第四章 退火处理对TiO_2薄膜性能的影响 | 第35-41页 |
| ·实验部分 | 第35-36页 |
| ·样品制备 | 第35页 |
| ·测试 | 第35-36页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·退火时间对薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·退火温度对薄膜结构晶相的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对薄膜光谱性能的影响 | 第40-41页 |
| 第五章 TiO_2薄膜光催化降解苯酚的实验研究 | 第41-50页 |
| ·半导体的光催化作用原理 | 第41-42页 |
| ·影响光催化效果的因素及解决方法 | 第42-44页 |
| ·4—氨基安替比林法 | 第44页 |
| ·光催化实验装置 | 第44-45页 |
| ·光催化结果 | 第45-50页 |
| ·空白实验 | 第45-46页 |
| ·薄膜厚度对光催化降解性能的影响 | 第46-47页 |
| ·不同退火温度对光催化降解性能的影响 | 第47-48页 |
| ·不同衬底对薄膜光催化降解性能的影响 | 第48-50页 |
| 第六章 小结 | 第50-52页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·将来有待进行的工作 | 第51-52页 |
| 发表文章 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57页 |