溶胶—凝胶法制备AZO透明导电薄膜的研究
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-24页 |
| 1．1 透明导电薄膜的种类与用途 | 第7-12页 |
| 1．1．1 透明导电薄膜的种类 | 第7-8页 |
| 1．1．2 透明导电氧化物薄膜的类型及特性 | 第8-10页 |
| 1．1．3 透明导电薄膜的应用 | 第10-12页 |
| 1．2 ZnO透明导电薄膜的制备及应用 | 第12-22页 |
| 1．2．1 ZnO薄膜的制备 | 第12-19页 |
| 1．2．2 ZnO薄膜的应用 | 第19-22页 |
| 1．3 本研究课题的提出 | 第22-23页 |
| 1．4 论文工作构思及主要工作任务 | 第23-24页 |
| 第二章 半导体薄膜的能带结构及光电性质 | 第24-35页 |
| 2．1 半导体薄膜物理基础 | 第24-26页 |
| 2．1．1 半导体能带结构 | 第24-25页 |
| 2．1．2 本征半导体和杂质半导体 | 第25-26页 |
| 2．2 半导体薄膜的电学性质 | 第26-29页 |
| 2．2．1 半导体载流子的性质 | 第27-28页 |
| 2．2．2 半导体氧化物薄膜的导电机理 | 第28-29页 |
| 2．3 半导体薄膜的光学性质 | 第29-31页 |
| 2．3．1 半导体薄膜的光吸收 | 第29页 |
| 2．3．2 透明导电薄膜光吸收边的移动理论 | 第29-31页 |
| 2．4 ZnO的晶体结构、半导体性质及掺杂理论 | 第31-35页 |
| 2．4．1 ZnO的晶体结构 | 第31页 |
| 2．4．2 ZnO的半导体性质 | 第31页 |
| 2．4．3 ZnO薄膜的掺杂理论 | 第31-35页 |
| 第三章 薄膜结构和性能的检测 | 第35-40页 |
| 3．1 扫描电镜工作原理及其性能 | 第35-36页 |
| 3．1．1 扫描电镜的工作原理 | 第35-36页 |
| 3．1．2 扫描电镜的主要性能 | 第36页 |
| 3．2 分光光度计测量薄膜的透射率 | 第36-38页 |
| 3．3 薄膜电阻率的测量 | 第38-40页 |
| 第四章 溶胶—凝胶法制备AZO薄膜 | 第40-47页 |
| 4．1 溶胶—凝胶基本原理 | 第40-42页 |
| 4．2 溶胶—凝胶涂膜工艺技术 | 第42-43页 |
| 4．3 浸渍提拉法制备薄膜的基本过程 | 第43-44页 |
| 4．4 溶胶—凝胶制备AZO薄膜主要原料 | 第44-45页 |
| 4．5 实验设备与器材 | 第45页 |
| 4．6 AZO薄膜试样制备过程 | 第45-47页 |
| 4．6．1 掺杂溶胶溶液的配制 | 第45页 |
| 4．6．2 玻璃基片的清洗 | 第45页 |
| 4．6．3 提拉镀膜、干燥和热处理 | 第45-47页 |
| 第五章 AZO薄膜制备工艺参数的正交设计 | 第47-51页 |
| 5．1 正交试验安排表 | 第47页 |
| 5．2 实验结果分析 | 第47-51页 |
| 5．2．1 数据分析模型的建立 | 第47-48页 |
| 5．2．2 正交直观分析程序框图的设计 | 第48页 |
| 5．2．3 工艺因素优选 | 第48-51页 |
| 第六章 AZO薄膜的电学性能 | 第51-57页 |
| 6．1 AZO薄膜的导电机理 | 第51-54页 |
| 6．2 掺杂量对薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
| 6．3 退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第55-56页 |
| 6．4 浓度与层数对薄膜电学性能的影响 | 第56-57页 |
| 第七章 AZO薄膜的光学性能及形貌分析 | 第57-64页 |
| 7．1 ZnO薄膜的光学性质 | 第57-58页 |
| 7．2 掺杂量对薄膜透射光谱的影响 | 第58-59页 |
| 7．3 退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第59-60页 |
| 7．4 浓度与层数对薄膜光学性能的影响 | 第60-61页 |
| 7．5 薄膜的生长过程 | 第61-64页 |
| 第八章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第70页 |
