| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·真空电子发射 | 第8-9页 |
| ·热电子发射 | 第8页 |
| ·场发射 | 第8-9页 |
| ·冷阴极在高频器件中的应用 | 第9-12页 |
| ·FEA（Field Emission Array）在微波器件中的应用 | 第9-10页 |
| ·碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)作微波器件发射源 | 第10-12页 |
| ·论文的选题及主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 场发射理论 | 第14-22页 |
| ·表面势垒和电子发射 | 第14页 |
| ·场致发射分类 | 第14-18页 |
| ·金属场致发射 | 第14-17页 |
| ·半导体场致发射 | 第17-18页 |
| ·内场致发射 | 第18页 |
| ·场致发射电子的能量分布和 NOTTINGHAM 效应 | 第18-20页 |
| ·空间电荷效应 | 第20-22页 |
| 第三章 场发射阴极结构的研究 | 第22-31页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·场致发射阴极发射均匀性的研究 | 第22-26页 |
| ·计算模型 | 第22-23页 |
| ·发射电流密度的估计 | 第23-24页 |
| ·三种阴极结构下发射电流密度的比较 | 第24-26页 |
| ·碳管高度对场增强因子的影响 | 第26页 |
| ·边缘场对场发射的影响 | 第26-29页 |
| ·计算模型 | 第26-27页 |
| ·不同划分方法的比较 | 第27-28页 |
| ·CNTs 膜的高度对边缘效应的影响 | 第28-29页 |
| ·阴极分块对荧光屏上均匀性的影响 | 第29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第四章 碳纳米管作发射源的微波管聚束系统设计 | 第31-44页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·二次电子发射机理 | 第31-33页 |
| ·二次电子发射的物理过程 | 第31-33页 |
| ·半导体、绝缘体的二次电子发射 | 第33页 |
| ·冷阴极微波管聚束系统的设计 | 第33-43页 |
| ·计算模型1 | 第34-37页 |
| ·计算模型2 | 第37-39页 |
| ·计算模型3 | 第39-41页 |
| ·计算模型4 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 场发射阴极受离子轰击的研究 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·离子的产生及阴极受损程度的数值模拟 | 第45-46页 |
| ·离子的产生 | 第45页 |
| ·阴极受损程度的模拟 | 第45-46页 |
| ·离子轰击模拟模型 | 第46-47页 |
| ·模型结构 | 第46-47页 |
| ·模拟的八种不同情况 | 第47页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第47-50页 |
| ·等位线分布、电子轨迹及离子轨迹 | 第47页 |
| ·离子损伤的比较 | 第47-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简介 | 第57页 |
