| 前言 | 第1-22页 |
| 第一章 晶体生长原料的合成与表征 | 第22-28页 |
| 1．1 实验仪器及试剂 | 第22页 |
| 1．2 原料的提纯 | 第22-23页 |
| 1．3 原料的合成 | 第23-24页 |
| 1．4 原料的表征 | 第24-26页 |
| 1．5 本章小结 | 第26-28页 |
| 第二章 晶体生长 | 第28-38页 |
| 2．1 提拉法原理 | 第28-32页 |
| 2．2 生长装置及设备 | 第32页 |
| 2．3 生长工艺流程 | 第32-35页 |
| 2．4 晶体生长结果 | 第35-37页 |
| 2．5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 晶体基本参数测定 | 第38-51页 |
| 3．1 结构参数测定 | 第38-42页 |
| 3．1．1 单晶晶胞参数测定 | 第38页 |
| 3．1．2 XRD测试及晶胞参数 | 第38-42页 |
| 3．2 性能参数测定 | 第42-51页 |
| 3．2．1 掺杂离子浓度测定及分凝系数 | 第42-46页 |
| 3．2．2 激光损伤阈值 | 第46-48页 |
| 3．2．3 晶体的折射率 | 第48-51页 |
| 第四章 晶体光谱性能 | 第51-68页 |
| 4．1 测试仪器及原理 | 第51-52页 |
| 4．2 YP_XV_（1－X）O_4基质晶体的透过光谱 | 第52-53页 |
| 4．3 Yb:YP_XV_（1－X）O_4晶体光谱 | 第53-66页 |
| 4．4 小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-80页 |