| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 缩略语表 | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| 1．1 功率电子学的发展 | 第8-10页 |
| 1．2 智能功率集成电路（SPIC）的基本组成 | 第10-11页 |
| 1．3 SPIC的应用 | 第11-13页 |
| 1．4 功率半导体器件的应用范围 | 第13-14页 |
| 1．5 本课题的主要研究工作 | 第14-17页 |
| 第二章 横向功率器件LDMOS的发展和优化横向变掺杂技术 | 第17-29页 |
| 2．1 1979 年出现的RESURFLDMOS | 第17-20页 |
| 2．2 埋层RESURFLDMOS | 第20-21页 |
| 2．3 有SIPOS电阻场板和RESURF结构的LDMOS | 第21页 |
| 2．4 使用内场限环的LDMOS | 第21-22页 |
| 2．5 双场降层LDMOS | 第22-23页 |
| 2．6 多浮空场板LDMOS | 第23-24页 |
| 2．7 多漂移区LDMOS（MR-LDMOS） | 第24页 |
| 2．8 优化横向变掺杂技术及其新结构横向器件 | 第24-29页 |
| 2．8．1 优化横向变掺杂技术 | 第25-27页 |
| 2．8．2 OPT-VLDLDMOS的基本结构 | 第27-29页 |
| 第三章 隔离技术和场板辅助隔离介绍 | 第29-44页 |
| 3．1 PN结隔离（JUNCTION IS OLATION，JI） | 第29-30页 |
| 3．2 自隔离（SELF-ISOLATION,SI） | 第30页 |
| 3．3 介质隔离（DIELECTRIC IS OLATION,DI） | 第30-31页 |
| 3．4 场板辅助隔离介绍 | 第31-44页 |
| 3．4．1 第一种隔离方法 | 第32-34页 |
| 3．4．2 第二种隔离方法——场板辅助隔离方法 | 第34-37页 |
| 3．4．3 第二种场板辅助隔离方法可能出现的优缺点 | 第37-38页 |
| 3．4．4 复合功率管内部的续流 | 第38-44页 |
| 第四章 图腾柱结构的高低侧复合管的设计、模拟和分析 | 第44-63页 |
| 4．1 OPT-VLDLDMOS稳态特性分析 | 第44-50页 |
| 4．2 OPT-VLDLDMOS器件的的电场分布 | 第50-52页 |
| 4．3 复合管特性模拟的基本参数 | 第52页 |
| 4．4 复合管的I～V特性及简单分析 | 第52-63页 |
| 4．4．1 复合管中低侧管的耐压特性和I～V曲线 | 第52-55页 |
| 4．4．2 复合管中高侧管的耐压特性和I~V曲线 | 第55-59页 |
| 4．4．3 复合管中高低侧管的开关特性和静态功耗 | 第59-62页 |
| 4．4．4 OPT-VLD的版图实现 | 第62-63页 |
| 第五章 MEDICI简介 | 第63-67页 |
| 5．1 MEDICI简介 | 第63页 |
| 5．2 MEDICI模拟的基本方程和模拟网格 | 第63-64页 |
| 5．3 MEDICI程序的物理模型 | 第64-67页 |
| 第六章 对未来的展望 | 第67-68页 |
| 结束语 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 个人简历 | 第74页 |
