| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-6页 |
| 第一章 文献综述 | 第6-20页 |
| ·什么是SOI | 第6页 |
| ·SOI材料的优点 | 第6-7页 |
| ·SOI技术的应用 | 第7-11页 |
| ·军用微电子的关键技术 | 第8-9页 |
| ·商用热潮 | 第9-10页 |
| ·市场展望 | 第10-11页 |
| ·SOI材料的制备 | 第11-15页 |
| ·注氧隔离技术(SIMOX) | 第11-13页 |
| ·智能剥离技术(SmartCut，Unibond) | 第13-14页 |
| ·多孔硅外延转移技术(ELTRAN) | 第14页 |
| ·三种技术的比较 | 第14-15页 |
| ·新的技术和热点 | 第15-18页 |
| ·多埋层SOI结构(SOIM，Silicon On Insulating Multi-layers) | 第15-16页 |
| ·图形化SOI(Patterned SOI) | 第16-17页 |
| ·空洞层上的硅(SON，Silicon On Nothing) | 第17-18页 |
| ·本论文的工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 氢氧复合注入研究 | 第20-39页 |
| ·为什么复合注 | 第20页 |
| ·实验一过程 | 第20-21页 |
| ·实验一结果与分析 | 第21-25页 |
| ·XTEM分析 | 第21-24页 |
| ·SIMS分析 | 第24-25页 |
| ·实验二过程 | 第25页 |
| ·实验二结果与分析 | 第25-30页 |
| ·SIMS分析 | 第25-27页 |
| ·XTEM分析 | 第27-30页 |
| ·HRTEM分析 | 第30页 |
| ·讨论 | 第30-35页 |
| ·注入温度的影响 | 第30-32页 |
| ·富氧埋层的形成机制 | 第32-33页 |
| ·注入能量对富氧埋层的影响 | 第33-34页 |
| ·注入剂量对富氧埋层的影响 | 第34页 |
| ·一种降低SIMOX生产成本的可能方法的探讨 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 氮氧复合注入研究 | 第39-57页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·K系列样品结果与分析 | 第41-52页 |
| ·SIMS分析 | 第41-43页 |
| ·XTEM分析 | 第43-45页 |
| ·HRTEM分析 | 第45页 |
| ·SRP分析 | 第45-47页 |
| ·RBS分析 | 第47-52页 |
| ·H系列样品结果与分析 | 第52页 |
| ·讨论 | 第52-55页 |
| ·注氮工艺比较 | 第52-53页 |
| ·几种材料的详细比较 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 SOI材料抗总剂量效应研究 | 第57-71页 |
| ·SOI器件的基本电离辐照效应 | 第57-62页 |
| ·总剂量效应 | 第57-58页 |
| ·单粒子效应 | 第58-59页 |
| ·瞬态剂量率效应 | 第59-60页 |
| ·几种材料的比较以及SIMON材料抗辐射性能的探讨 | 第60-62页 |
| ·SOI材料的总剂量效应 | 第62-67页 |
| ·低剂量SIMOX材料 | 第62-64页 |
| ·SIMON材料 | 第64-67页 |
| ·SIMON材料抗总剂量效应的机理分析 | 第67-68页 |
| ·后期实验 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 文章和专利 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
