| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-20页 |
| §1．1 低介电常数材料的研究背景 | 第7-9页 |
| §1．2 低介电常数材料的研究现状 | 第9-18页 |
| §1．3 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 a-C:F薄膜的制备方法与退火工艺 | 第20-23页 |
| §2．1 微波ECR等离子体CVD制备薄膜的原理 | 第20-21页 |
| §2．2 a-C:F薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
| §2．3 a-C:F薄膜的退火工艺 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第三章 a-C:F薄膜的物性检测 | 第23-39页 |
| §3．1 傅立叶变换红外光谱仪原理简介 | 第23-24页 |
| §3．2 a-C:F薄膜键结构的红外分析 | 第24-27页 |
| §3．3 紫外可见分光光度计测试原理 | 第27页 |
| §3．4 从透射谱计算光学带隙的方法 | 第27-32页 |
| §3．5 X射线光电子能谱分析基本原理 | 第32-35页 |
| §3．6 a-C:F薄膜键结构的XPS分析 | 第35-37页 |
| §3．7 a-C:F薄膜电学性能测试 | 第37页 |
| §3．8 XRD分析原理 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 a-C:F薄膜退火前后物性变化 | 第39-54页 |
| §4．1 微波功率对薄膜的沉积速率和退火对膜厚变化率的影响 | 第39-41页 |
| §4．2 键结构随微波功率以及退火温度的变化关系 | 第41-45页 |
| §4．3 薄膜退火前后的XRD图 | 第45-46页 |
| §4．4 薄膜的光学带隙随微波功率以及退火温度的变化 | 第46-50页 |
| §4．5 薄膜的光学带隙与热稳定性 | 第50页 |
| §4．6 退火前后薄膜的介电频谱及介电损耗的变化 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 附录： 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |