| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论—半导体垂直腔面发射量子阱激光器的发展史 | 第7-12页 |
| 1．1 量子阱激光器的发展史 | 第7-9页 |
| 1．2 半导体垂直腔面发射激光器的发展史 | 第9-10页 |
| 1．3 半导体垂直腔面发射激光器的结构特点 | 第10-11页 |
| 1．4 本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 量子阱VCSEL特性相互关联耦合模型的建立 | 第12-21页 |
| 2．1 国内外的研究现状 | 第12页 |
| 2．2 直接耦合准三维理论模型的建立 | 第12-21页 |
| 2．2．1 电流密度分布模型 | 第12-15页 |
| 2．2．2 载流子浓度分布模型 | 第15-18页 |
| 2．2．3 光场分布模型 | 第18-21页 |
| 第三章 量子阱VCSEL相互关联耦合准三维模型的数学计算方法 | 第21-26页 |
| 3．1 电压和电流分布的数值求解 | 第21-22页 |
| 3．2 载流子浓度分布的数值求解 | 第22-23页 |
| 3．3 光场分布的数值求解 | 第23-26页 |
| 第四章 VCSEL相互关联耦合准三维模型的计算机自洽计算过程和计算程序 | 第26-29页 |
| 4．1 计算机自洽求解过程 | 第26-27页 |
| 4．2 物理模型中参数的选取 | 第27-28页 |
| 4．3 计算程序流程图 | 第28-29页 |
| 第五章 数值计算结果分析与讨论 | 第29-43页 |
| 5．1 只考虑P型DBR时导电特性的研究 | 第29-36页 |
| 5．1．1 高阻区的不同位置和不同厚度对量子阱VCSEL的影响 | 第29-32页 |
| 5．1．2 高阻层的不同厚度对激光器特性的影响 | 第32-33页 |
| 5．1．3 限制层和出射窗口半径对量子阱VCSEL激光器的影响 | 第33-36页 |
| 5．2 考虑N型DBR时导电特性的研究 | 第36-40页 |
| 5．2．1 N型DBR对垂直腔面发射量子阱激光器的影响 | 第36-38页 |
| 5．2．2 具有双分别氧化限制层时的等势线分布 | 第38-40页 |
| 5．3 半导体激光器中的光场分布 | 第40-43页 |
| 5．3．1 突变折射率波导激光器中的光场分布 | 第40-42页 |
| 5．3．2 阈值附近的光场分布 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
