内容提要 | 第1-7页 |
第一章 绪论 | 第7-15页 |
·二元半导体化合物 | 第7-9页 |
·软模在解释压致相变物理机制预测新结构方面的作用 | 第9-13页 |
·本文目的和意义 | 第13-15页 |
第二章 理论依据 | 第15-35页 |
·绝热近似 | 第15-17页 |
·独立粒子近似与平均场理论 | 第17-23页 |
·Hartree 方程 | 第18页 |
·Hartree-Fock 方程 | 第18-19页 |
·密度泛函理论 | 第19-22页 |
·Born-von Karman 边界条件 | 第22-23页 |
·Bloch 定理 | 第23页 |
·三维晶格振动的声子解 | 第23-32页 |
·动力学方程 | 第23-25页 |
·线性响应理论 | 第25-32页 |
·拉曼散射 | 第32-35页 |
第三章 第一性原理计算 | 第35-40页 |
·第一性原理计算简介 | 第35-37页 |
·线性变分法 | 第37-38页 |
·赝势平面波电子结构计算 | 第38-40页 |
第四章 解释相变机制 | 第40-77页 |
·引言 | 第40-45页 |
·AgF 的相变机制 | 第45-49页 |
·AgCl 和AgBr 的相变机制 | 第49-62页 |
·AgI 的相变机制 | 第62-75页 |
·小结 | 第75-77页 |
第五章 预测高压新相和结构变化的规律 | 第77-102页 |
·引言 | 第77-79页 |
·MgTe 高压新相的预测 | 第79-87页 |
·B8 结构的二元半导体化合物的相变规律 | 第87-94页 |
·CdSe 高压新相的预测 | 第94-100页 |
·高压下不存在B2 结构的二元半导体化合物的相变规律 | 第100-102页 |
第六章 结论与展望 | 第102-106页 |
附录A | 第106-110页 |
参考文献 | 第110-123页 |
攻读博士期间发表的学术论文 | 第123-126页 |
论文摘要 | 第126-132页 |
ABSTRACT | 第132-137页 |
致谢 | 第137-138页 |