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二元半导体化合物高压相变的第一性原理研究

内容提要第1-7页
第一章 绪论第7-15页
   ·二元半导体化合物第7-9页
   ·软模在解释压致相变物理机制预测新结构方面的作用第9-13页
   ·本文目的和意义第13-15页
第二章 理论依据第15-35页
   ·绝热近似第15-17页
   ·独立粒子近似与平均场理论第17-23页
     ·Hartree 方程第18页
     ·Hartree-Fock 方程第18-19页
     ·密度泛函理论第19-22页
     ·Born-von Karman 边界条件第22-23页
     ·Bloch 定理第23页
   ·三维晶格振动的声子解第23-32页
     ·动力学方程第23-25页
     ·线性响应理论第25-32页
   ·拉曼散射第32-35页
第三章 第一性原理计算第35-40页
   ·第一性原理计算简介第35-37页
   ·线性变分法第37-38页
   ·赝势平面波电子结构计算第38-40页
第四章 解释相变机制第40-77页
   ·引言第40-45页
   ·AgF 的相变机制第45-49页
   ·AgCl 和AgBr 的相变机制第49-62页
   ·AgI 的相变机制第62-75页
   ·小结第75-77页
第五章 预测高压新相和结构变化的规律第77-102页
   ·引言第77-79页
   ·MgTe 高压新相的预测第79-87页
   ·B8 结构的二元半导体化合物的相变规律第87-94页
   ·CdSe 高压新相的预测第94-100页
   ·高压下不存在B2 结构的二元半导体化合物的相变规律第100-102页
第六章 结论与展望第102-106页
附录A第106-110页
参考文献第110-123页
攻读博士期间发表的学术论文第123-126页
论文摘要第126-132页
ABSTRACT第132-137页
致谢第137-138页

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