| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-31页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·电存储器件的存储类型 | 第11-13页 |
| ·WORM 存储类型 | 第11页 |
| ·Flash 存储类型 | 第11-12页 |
| ·DRAM 存储类型 | 第12-13页 |
| ·SRAM 存储类型 | 第13页 |
| ·电存储材料分类及研究进展 | 第13-24页 |
| ·聚合物类电存储材料 | 第13-21页 |
| ·有机小分子类电存储材料 | 第21-22页 |
| ·有机/无机纳米掺杂材料 | 第22-24页 |
| ·电存储器件的制备方法 | 第24-26页 |
| ·电存储器件性能衡量参数指标 | 第26-27页 |
| ·电存储材料研究发展方向 | 第27-29页 |
| ·本论文的目的和意义 | 第29页 |
| ·本论文的研究内容 | 第29-30页 |
| ·本论文的创新点 | 第30-31页 |
| 第二章 相变和电荷陷阱协同作用调控侧链含偶氮萘聚合物的三进制电存储性能 | 第31-44页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-43页 |
| ·主要试剂 | 第32页 |
| ·分析方法 | 第32页 |
| ·材料的合成与器件的制作 | 第32-37页 |
| ·实验结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 电荷陷阱及成膜性对偶氮萘胺类小分子的电存储性能影响 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-56页 |
| ·主要试剂 | 第45页 |
| ·分析方法 | 第45页 |
| ·材料的合成与器件的制作 | 第45-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-59页 |
| ·本文总结 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附图 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间论文发表、录用及提交 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |