| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| ·自旋电子学和稀磁半导体 | 第10页 |
| ·ZnO 的基本结构和性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体材料的磁性研究现状 | 第11-13页 |
| ·本课题研究的目的和内容 | 第13-14页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| 2 理论基础 | 第14-22页 |
| ·Hartree-Fock 方法 | 第14-16页 |
| ·绝热近似 | 第14-15页 |
| ·单电子近似 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-17页 |
| ·布洛赫(Bloch)定理 | 第17-18页 |
| ·LDA 和 GGA 处理方法 | 第18页 |
| ·赝势平面波方法 | 第18-19页 |
| ·能带电子波函数的平面波基底展开 | 第19页 |
| ·自洽电子弛豫方法 | 第19-20页 |
| ·CASTEP 程序简介 | 第20-22页 |
| 3 C 掺杂 ZnO 的磁性研究 | 第22-31页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·计算方法 | 第22-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-30页 |
| ·C 掺杂 ZnO 薄膜的自发自旋极化 | 第23-24页 |
| ·C 掺杂 ZnO 薄膜的 FM 耦合 | 第24-26页 |
| ·C 掺杂 ZnO 薄膜的铁磁性起源 | 第26-27页 |
| ·VO和 VZn在 C 掺杂 ZnO 薄膜中对 FM 性质的影响 | 第27-28页 |
| ·应变对 C 掺杂 ZnO 薄膜的 FM 耦合和电子结构的影响 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 4 N 掺杂 ZnO 的磁性研究 | 第31-46页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·N 掺杂 ZnO 晶体的磁性研究 | 第31-38页 |
| ·计算方法 | 第31-32页 |
| ·N 掺杂 ZnO 的 FM 耦合 | 第32-33页 |
| ·N 掺杂 ZnO 中缺陷的形成能和离化能 | 第33-36页 |
| ·缺陷对 N 掺杂 ZnO FM 性质的影响 | 第36-37页 |
| ·应变对 N 掺杂 ZnO FM 和 AFM 性质的影响 | 第37-38页 |
| ·N 掺杂 ZnO 薄膜的磁性研究 | 第38-45页 |
| ·计算方法 | 第38页 |
| ·N 掺杂 ZnO 薄膜的自发自旋极化 | 第38-41页 |
| ·N 掺杂 ZnO 薄膜的 FM 耦合 | 第41-42页 |
| ·N 掺杂 ZnO 薄膜的铁磁性起源 | 第42页 |
| ·薄膜的磁交换系数和居里转变温度 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第52-53页 |
