| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-44页 |
| ·锂离子电池的产生与发展 | 第14-17页 |
| ·锂离子电池的工作原理与性能 | 第17-19页 |
| ·锂离子电池正极材料概述 | 第19-38页 |
| ·LiCo0_2 正极材料 | 第19-23页 |
| ·层状结构LiNi0_2 和LiMn_02 正极材料 | 第23-29页 |
| ·尖晶石结构的LiMn_20_4 | 第29-30页 |
| ·聚阴离子型锂离子电池正极材料 | 第30-38页 |
| ·Li-M-X0_4 (橄榄石型) | 第30-36页 |
| ·Li3-M2-(X0_4)_3(菱方晶型和单斜晶型) | 第36-38页 |
| ·铁电材料的微结构缺陷 | 第38-42页 |
| ·点缺陷 | 第39-40页 |
| ·位错 | 第40-42页 |
| ·本研究课题的提出及来源 | 第42页 |
| ·本论文的主要研究内容及创新之处 | 第42-44页 |
| ·本论文的研究内容 | 第42-43页 |
| ·本论文的创新之处 | 第43-44页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第44-58页 |
| ·Hartree-Fork 方法 | 第44-47页 |
| ·绝热近似 | 第45页 |
| ·Hartree-Fork 近似 | 第45-47页 |
| ·密度泛函理论 | 第47-52页 |
| ·Hohenberg-Kohn-Sham 密度泛函理论 | 第47-50页 |
| ·自洽计算 | 第50-51页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第51-52页 |
| ·赝势平面波法 | 第52-55页 |
| ·模守恒赝势 | 第53-54页 |
| ·超软赝势 | 第54-55页 |
| ·PAW 赝势 | 第55页 |
| ·能带电子的平面波基底展开 | 第55-56页 |
| ·结构优化 | 第56-58页 |
| 第三章 Li 位和金属位掺杂LiCoP0_4 的第一性原理研究 | 第58-74页 |
| ·计算细节 | 第59-60页 |
| ·Li 位掺杂对材料结构和性质的影响 | 第60-62页 |
| ·金属位掺杂对材料结构和平均嵌入电压的影响 | 第62-66页 |
| ·Mn 掺杂LiCoP0_4 的性质 | 第66-73页 |
| ·LiCoP0_4 的磁性和结构优化 | 第66-69页 |
| ·Mn 掺杂结构的电子性质 | 第69-71页 |
| ·Mn 掺杂LiCoP0_4 的平均嵌入电压 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 LiMB0_3 (M=Mn,Fe,Co)的第一性原理研究 | 第74-82页 |
| ·LiMB0_3 的晶体结构 | 第74-75页 |
| ·理论模型和方法 | 第75页 |
| ·结构优化和磁性研究 | 第75-78页 |
| ·电子结构 | 第78-79页 |
| ·Li 空位形成能和平均嵌入电压 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 Li_3V_2(P0_4)_3 和Li_9M_3(P_20_7)_3(P0_4)_2 的第一性原理研究 | 第82-98页 |
| ·引言 | 第82-85页 |
| ·单斜Li_3V_2(P0_4)_3 正极材料 | 第82-84页 |
| ·Li_9M_3(P_20_7)_3(P0_4)_2 正极材料 | 第84-85页 |
| ·计算方法 | 第85页 |
| ·Li_3V_2(P0_4)_3 正极材料的磁性和电子结构 | 第85-89页 |
| ·Li_9M_3(P_20_7)_3(P0_4)_2 (M=Fe, Co, Cr, V)晶体结构、电子性质以及平均嵌入电压 | 第89-96页 |
| ·Li_9M_3(P_20_7)_3(P0_4)_2 的晶体结构 | 第89-93页 |
| ·电子结构 | 第93页 |
| ·平均嵌入电压 | 第93-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 第一性原理研究BiA10_3 的稳定性和它的空位缺陷 | 第98-108页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·计算方法 | 第99-101页 |
| ·结果和讨论 | 第101-106页 |
| ·允许的化学势范围 | 第101-102页 |
| ·R3c 空间群结构中可能的带电空位 | 第102-104页 |
| ·两种空间群结构中中性空位形成能的比较 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128页 |