| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| ·课题研究目的及意义 | 第11-13页 |
| ·铌酸锂晶体简介 | 第13页 |
| ·铌酸锂晶体结构及其缺陷模型 | 第13-17页 |
| ·铌酸锂晶体结构 | 第13-14页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第14-15页 |
| ·铌酸锂晶体的非本征缺陷 | 第15-17页 |
| ·Fe:LiNbO_3 晶体研究意义以及存在问题 | 第17-19页 |
| 第2章 Mg:Fe:LiNbO_3晶体的生长及试样制备 | 第19-27页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第19-20页 |
| ·晶体生长 | 第20-26页 |
| ·原料配比 | 第20-22页 |
| ·原料的预处理 | 第22页 |
| ·晶体生长设备装置 | 第22-23页 |
| ·晶体生长工艺参数的选择 | 第23-25页 |
| ·晶体生长过程 | 第25-26页 |
| ·晶体加工 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 Mg:Fe:LiNbO_3晶体谱特性研究 | 第27-35页 |
| ·掺杂离子阈值浓度 | 第27页 |
| ·阈值浓度定义 | 第27页 |
| ·阈值浓度确定 | 第27页 |
| ·Mg:Fe:LiNbO_3 晶体红外光谱测试 | 第27-30页 |
| ·红外光谱测试结果 | 第28-30页 |
| ·OH-吸收峰移动机理研究 | 第30页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第30-34页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第31-32页 |
| ·掺杂离子对晶体基础吸收边的影响 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Mg:Fe:LiNbO_3晶体的抗光折变性能的研究 | 第35-45页 |
| ·光折变体全息存储材料的性能要求 | 第35-37页 |
| ·光折变灵敏度 | 第35-36页 |
| ·动态范围 | 第36页 |
| ·信噪比 | 第36页 |
| ·存储寿命 | 第36-37页 |
| ·晶体全息存储性能测试 | 第37-39页 |
| ·衍射效率的测试 | 第37-38页 |
| ·响应时间和擦除时间的测量 | 第38-39页 |
| ·晶体的抗光致散射能力 | 第39-41页 |
| ·全息存储原理图及存储图像 | 第41-43页 |
| ·抗光损伤机理研究 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 讨论 Li/Nb 比与 Mg 含量对晶体性能的影响 | 第45-52页 |
| ·数理统计中正交试验设计方法 | 第45-48页 |
| ·正交试验方案 | 第45-47页 |
| ·交互作用 | 第47-48页 |
| ·正交试验设计方法应用于晶体的配料 | 第48-50页 |
| ·建立正交试验方案 | 第48-49页 |
| ·考察因素A 与B 是否有交互作用 | 第49页 |
| ·交互作用的正交设计 | 第49-50页 |
| ·结果分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
