| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·本课题研究的背景及意义 | 第9页 |
| ·CdS薄膜的性质 | 第9-10页 |
| ·CdS薄膜的研究现状 | 第10-12页 |
| ·CdS薄膜的制备方法 | 第12-16页 |
| ·CdS薄膜的应用前景 | 第16-17页 |
| ·传感器件 | 第16页 |
| ·光电探测器 | 第16-17页 |
| ·发光器件 | 第17页 |
| ·在太阳能电池方面的应用 | 第17页 |
| ·本文研究目的及所做工作 | 第17-19页 |
| 第2章 实验过程及表征方法 | 第19-28页 |
| ·实验装置 | 第19页 |
| ·实验原理 | 第19-20页 |
| ·试验微观机制 | 第20-22页 |
| ·实验方案 | 第22-25页 |
| ·衬底的清洗 | 第23页 |
| ·成膜溶液 | 第23-24页 |
| ·实验步骤 | 第24-25页 |
| ·薄膜的后期处理 | 第25页 |
| ·表征方法 | 第25-26页 |
| ·衍射图像分析 | 第25页 |
| ·形貌表征 | 第25-26页 |
| ·光学性能分析 | 第26页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第26页 |
| ·椭偏仪 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 实验药品选取对薄膜的影响 | 第28-37页 |
| ·选择镉盐 | 第28页 |
| ·不同的(NH_2)_2SC浓度的影响 | 第28-32页 |
| ·不同的(NH_2)_2SC浓度反应溶液 | 第28页 |
| ·表面形貌分析 | 第28-30页 |
| ·光学特性分析 | 第30-31页 |
| ·XRD分析 | 第31-32页 |
| ·不同的CdSO_4 浓度的影响 | 第32-36页 |
| ·不同的CdSO_4 浓度的反应溶液 | 第32页 |
| ·不同CdSO_4 浓度下CdS薄膜的SEM图像分析 | 第32-33页 |
| ·光学特性分析 | 第33-34页 |
| ·XRD分析 | 第34页 |
| ·禁带宽度分析 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 不同试验参数的影响 | 第37-55页 |
| ·不同的pH值的影响 | 第37-42页 |
| ·不同的pH值的反应溶液 | 第37页 |
| ·表面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·光学特性分析 | 第38-39页 |
| ·XRD分析 | 第39-40页 |
| ·禁带宽度分析 | 第40-41页 |
| ·霍尔效应测量结果分析 | 第41页 |
| ·缓冲剂对薄膜生长的影响 | 第41-42页 |
| ·不同沉积时间的影响 | 第42-46页 |
| ·不同沉积时间的反应溶液 | 第42-43页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第43页 |
| ·沉积时间和厚度的关系图像 | 第43-44页 |
| ·XRD分析 | 第44-45页 |
| ·光学特性分析 | 第45-46页 |
| ·不同的沉积温度的影响 | 第46-48页 |
| ·不同的沉积温度的反应溶液 | 第46页 |
| ·表面形貌分析 | 第46-48页 |
| ·光学特性分析 | 第48页 |
| ·不同的退火温度的影响 | 第48-53页 |
| ·不同的退火温度的反应溶液 | 第48-49页 |
| ·退火前的XRE图像和SEM图像 | 第49页 |
| ·退火后的XRD图像和SEM图像 | 第49-50页 |
| ·退火前后的禁带宽度变化 | 第50页 |
| ·退火前后光学性能的变化 | 第50-51页 |
| ·不同退火温度下的SEM图像 | 第51-52页 |
| ·不同退火温度的XRD图像 | 第52-53页 |
| ·0.3mol/L的CdCl_2 水溶液处理的影响 | 第53-54页 |
| ·处理前后的反应溶液 | 第53页 |
| ·处理前后薄膜的形貌分析 | 第53-54页 |
| ·处理前后薄膜的XRD图像 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62页 |