金属离子掺杂改性有机半导体g-C_3N_4的研究与分析

摘要第4-5页
Abstract第5-8页
第一章绪论第8-21页
    1.1前言第8-11页
    1.2半导体光催化反应的基本原理第11-14页
    1.3半导体光催化剂研究概述第14-19页
        1.3.1传统半导体催化剂第14页
        1.3.2新型半导体催化剂——石墨烯相碳氮化合物第14-19页
    1.4研究意义及主要研究内容第19-21页
        1.4.1研究意义第19-20页
        1.4.2主要研究内容第20-21页
第二章材料结构表征方法第21-34页
    2.1实验中的主要试剂第21-22页
    2.2基本表征方法第22-34页
        2.2.1粉末X射线衍射(Powder-XRD)第22-24页
        2.2.2紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)第24-25页
        2.2.3扫描电子显微镜(SEM)第25-29页
        2.2.4透射电子显微镜(TEM)第29-34页
第三章升温速率、前驱体及退火处理对材料的影响第34-42页
    3.1引言第34-35页
    3.2样品制备第35-37页
    3.3结果与讨论第37-41页
    3.4本章小结第41-42页
第四章离子掺杂法优化石墨烯相碳氮化合物的光催化性第42-51页
    4.1金属阳离子掺杂对石墨烯相碳氮化合物的光催化性能的影响第42-45页
    4.2气氛的改变对离子掺杂效果的影响第45-50页
    4.3本章小结第50-51页
第五章总结和展望第51-53页
参考文献第53-61页
攻读硕士期间的科研成果第61-62页
致谢第62页

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