基于InGaAs/InP单光子雪崩二极管的红外单光子探测研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·单光子量子保密通信 | 第12-14页 |
| ·红外单光子探测器 | 第14-22页 |
| ·基于光电倍增管的方法 | 第14-15页 |
| ·电荷积分探测器 | 第15-17页 |
| ·超导单光子探测器 | 第17-21页 |
| ·基于单光子雪崩二极管的方法 | 第21-22页 |
| ·SPAD红外单光子探测器的研究现状和问题 | 第22-33页 |
| ·基于商用器件的研究现状 | 第22-23页 |
| ·SPAD的设计和性能 | 第23-24页 |
| ·后脉冲问题 | 第24-25页 |
| ·电尖峰问题 | 第25-33页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第33-34页 |
| 第2章 单光子雪崩二极管碰撞电离模型 | 第34-50页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体的碰撞电离 | 第34-36页 |
| ·SPAD的碰撞电离模型 | 第36-44页 |
| ·局域碰撞电离模型 | 第37-40页 |
| ·历史相关的碰撞电离模型 | 第40-44页 |
| ·两种模型的分析比较 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 单光子雪崩二极管的雪崩击穿 | 第50-64页 |
| ·雪崩击穿电压 | 第51-59页 |
| ·通过增益饱和现象确定雪崩击穿电压 | 第51-56页 |
| ·影响雪崩击穿电压的因素 | 第56-59页 |
| ·雪崩击穿概率 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 单光子雪崩二极管设计及性能研究 | 第64-82页 |
| ·单光子雪崩二极管设计 | 第64-66页 |
| ·单光子量子效率和暗计数 | 第66-79页 |
| ·分析模型 | 第68-71页 |
| ·数值分析 | 第71-79页 |
| ·后脉冲现象 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 InGaAs/InP积分门模单光子探测器 | 第82-96页 |
| ·无源抑制 | 第82-83页 |
| ·无源抑制的原理 | 第82页 |
| ·无源抑制的主要设计问题 | 第82-83页 |
| ·有源抑制 | 第83-85页 |
| ·有源抑制的原理 | 第83-84页 |
| ·有源抑制的主要设计问题 | 第84-85页 |
| ·门控抑制 | 第85-86页 |
| ·门控抑制的原理 | 第85-86页 |
| ·门控抑制的电尖峰问题 | 第86页 |
| ·积分门模单光子探测器 | 第86-94页 |
| ·积分门控模式单光子探测器的基本原理 | 第87-90页 |
| ·积分门控模式单光子探测器的实验研究 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简历 | 第111页 |
