| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-15页 |
| ·六角氮化硼性质 | 第8-9页 |
| ·六角氮化硼低维的结构性质及其与石墨结构的对比 | 第9-13页 |
| ·氮化硼纳米片 | 第9-12页 |
| ·氮化硼纳米带 | 第12-13页 |
| ·低维纳米材料的弹道输运特点 | 第13-14页 |
| ·本文研究内容和目的 | 第14-15页 |
| 第2章 理论基础和计算方法概述 | 第15-19页 |
| ·格林函数 | 第15页 |
| ·紧束缚模型 | 第15-16页 |
| ·递归格林函数 | 第16-19页 |
| 第3章 应力对氮化硼纳米带电子输运性质的调制效应 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·计算方法与模型 | 第20-21页 |
| ·结算结果 | 第21-28页 |
| ·平行于轴应力计算结果与分析 | 第21-26页 |
| ·垂直轴的应力和对称的应力计算结果 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 存在三角形空位缺陷的氮化硼纳米带电子输运性质 | 第29-40页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·计算方法与模型 | 第30-31页 |
| ·单个空位缺陷结算结果 | 第31-35页 |
| ·存在缺陷与完美的电导对比与分析 | 第31-33页 |
| ·不同位置的缺陷对电导的不同影响 | 第33-34页 |
| ·不同大小的缺陷对电导的不同影响 | 第34-35页 |
| ·两个空位缺陷计算结果 | 第35-39页 |
| ·在纳米带边缘上两个缺陷与单个缺陷的电导谱的对比与分析 | 第35-37页 |
| ·在纳米带内部同一水平线上两个缺陷与单个缺陷的电导对比 | 第37页 |
| ·在纳米带内部和边缘上各存在一个缺陷时的电导的对比与分析 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第5章 总结与展望 | 第40-43页 |
| ·论文总结 | 第40-41页 |
| ·研究展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第50-51页 |
| 个人简历 | 第51页 |
