| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-22页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第9-16页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第9-10页 |
| 1.1.2 石墨烯的特性 | 第10-11页 |
| 1.1.3 石墨烯的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.4 石墨烯的应用 | 第13-16页 |
| 1.2 等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 等离子体技术的介绍 | 第16-17页 |
| 1.2.2 等离子体技术在石墨烯制备方面的应用 | 第17-19页 |
| 1.3 CO_2为碳源制备碳纳米材料的现状与意义 | 第19页 |
| 1.4 文献小结 | 第19-20页 |
| 1.5 课题研究的内容、目的和意义 | 第20-22页 |
| 第2章 实验条件及表征方法 | 第22-26页 |
| 2.1 实验原料及试剂 | 第22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-25页 |
| 2.3 表征设备及仪器型号 | 第25-26页 |
| 第3章 PECVD法石墨烯的制备及条件探索 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 石墨烯的一般制备方法 | 第26-29页 |
| 3.3 实验参数对PECVD石墨烯合成的影响 | 第29-35页 |
| 3.3.1 温度对石墨烯形成的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 样品与plasma线圈距离对石墨烯形成的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3 PlasmaH2预处理对基底洁净度的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.4 各参数影响的综合分析 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 类石墨烯/铜纳米线复合材料的制备 | 第37-49页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 铜纳米线材料的制备及表征 | 第37-40页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第37-38页 |
| 4.2.2 表面活性剂对铜纳米线制备的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 温度对CuNW的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 以甲苯为碳源的类石墨烯/CuNW复合材料的制备及表征 | 第40-41页 |
| 4.4 PECVD法类石墨烯碳管/CuNW复合材料的制备及性能探索 | 第41-48页 |
| 4.4.1 实验部分 | 第41-42页 |
| 4.4.2 表征结果分析 | 第42-44页 |
| 4.4.3 石墨烯防氧化性能测试 | 第44-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 CO_2为碳源的低温石墨烯制备及其机理探索 | 第49-58页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 石墨烯碳膜的制备 | 第49-50页 |
| 5.3 实验条件对石墨烯碳膜制备结果的影响 | 第50-55页 |
| 5.3.1 H_2对石墨烯碳膜制备的影响 | 第50-51页 |
| 5.3.2 金属基底对石墨烯碳膜制备的影响 | 第51-53页 |
| 5.3.3 反应时间对石墨烯碳膜透光率的影响 | 第53-54页 |
| 5.3.4 其他因素对石墨烯碳膜制备的影响 | 第54-55页 |
| 5.4 二氧化碳生长石墨烯的机理分析 | 第55-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第6章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
