| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 日盲紫外探测器简介 | 第10页 |
| 1.2 InGaO_x薄膜基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3 Ga_2O_3基紫外探测器国内外研究现状 | 第11-30页 |
| 1.3.1 Ga_2O_3紫外探测器研究现状 | 第11-24页 |
| 1.3.2 InGaO_x紫外探测器研究现状 | 第24-30页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 样品的制备技术和表征手段 | 第31-41页 |
| 2.1 薄膜样品的制备技术 | 第31-33页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜系统 | 第31-32页 |
| 2.1.2 退火工艺 | 第32-33页 |
| 2.2 InGaO_x薄膜的表征手段 | 第33-36页 |
| 2.2.1 紫外-可见透射光谱 | 第33-34页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第34页 |
| 2.2.3 表面轮廓扫描仪 | 第34-35页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第35-36页 |
| 2.3 InGaO_x薄膜紫外探测器的制备和性能测试 | 第36-41页 |
| 2.3.1 真空热蒸发沉积系统 | 第36-37页 |
| 2.3.2 InGaO_x薄膜探测器的光刻工艺 | 第37-39页 |
| 2.3.3 InGaO_x薄膜紫外探测器性能测试系统 | 第39-40页 |
| 2.3.4 InGaO_x紫外探测器瞬态响应测试系统 | 第40-41页 |
| 第3章 工作压强对InGaO_x薄膜紫外探测器性能的影响 | 第41-56页 |
| 3.1 InGaO_x薄膜的制备工艺参数 | 第41-42页 |
| 3.2 工作压强对InGaO_x薄膜性质的影响 | 第42-47页 |
| 3.2.1 InGaO_x薄膜厚度测试 | 第42-43页 |
| 3.2.2 InGaO_x薄膜微观结构表征 | 第43页 |
| 3.2.3 InGaO_x薄膜表面形貌表征 | 第43-45页 |
| 3.2.4 InGaO_x薄膜EDS测试分析 | 第45-46页 |
| 3.2.5 InGaO_x薄膜光学性质分析 | 第46-47页 |
| 3.3 工作压强对InGaO_x薄膜紫外探测器性能的影响 | 第47-55页 |
| 3.3.1 InGaO_x探测器的光谱响应度 | 第47-50页 |
| 3.3.2 InGaO_x探测器的光暗电流 | 第50-51页 |
| 3.3.3 InGaO_x探测器的光谱响应时间 | 第51-52页 |
| 3.3.4 工作压强对InGaO_x探测器器件性能影响的机理分析 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 氧气流量对InGaO_x薄膜紫外探测器性能的影响 | 第56-66页 |
| 4.1 InGaO_x薄膜的制备工艺参数 | 第56-57页 |
| 4.2 氧气流量对InGaO_x薄膜性质的影响 | 第57-60页 |
| 4.2.1 InGaO_x薄膜微观结构表征 | 第57页 |
| 4.2.2 InGaO_x薄膜表面形貌表征 | 第57-59页 |
| 4.2.3 InGaO_x薄膜光学性质分析 | 第59-60页 |
| 4.3 氧气流量对InGaO_x薄膜紫外探测器性能的影响 | 第60-65页 |
| 4.3.1 InGaO_x探测器的光谱响应度 | 第60-62页 |
| 4.3.2 InGaO_x探测器的光暗电流 | 第62-63页 |
| 4.3.3 InGaO_x探测器的光谱响应时间 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 真空退火对InGaO_x薄膜紫外探测器性能的影响 | 第66-72页 |
| 5.1 InGaO_x薄膜的制备和真空退火工艺参数 | 第66-67页 |
| 5.2 真空退火对InGaO_x薄膜性质的影响 | 第67-69页 |
| 5.2.1 InGaO_x薄膜微观结构表征 | 第67页 |
| 5.2.2 InGaO_x薄膜表面形貌表征 | 第67-68页 |
| 5.2.3 InGaO_x薄膜光学性质分析 | 第68-69页 |
| 5.3 真空退火对InGaO_x薄膜紫外探测器的性能 | 第69-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第6章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 全文总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第80页 |
