六方氮化硼的能带特性和深紫外探测器研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 六方氮化硼结构、性质及应用 | 第14-16页 |
| 1.3 六方氮化硼制备工艺 | 第16-18页 |
| 1.4 六方氮化硼紫外光电探测器简介 | 第18-26页 |
| 1.4.1 紫外光电探测器概述 | 第18-20页 |
| 1.4.2 MSM紫外光电探测器工作原理 | 第20-23页 |
| 1.4.3 六方氮化硼紫外探测研究现状 | 第23-26页 |
| 1.5 本文的研究动机和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 六方氮化硼的能带特性 | 第28-40页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 六方氮化硼的带隙性质 | 第28-33页 |
| 2.2.1 六方氮化硼体材料的能带性质 | 第28-31页 |
| 2.2.2 单层、两层及三层hBN的能带性质 | 第31-33页 |
| 2.3 基于S掺杂的六方氮化硼能带调控 | 第33-38页 |
| 2.3.1 S掺杂对于hBN能带的调控 | 第33-36页 |
| 2.3.2 S掺杂对于hBN红外和拉曼光谱的影响 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 六方氮化硼薄膜的制备及表征 | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜 | 第40-41页 |
| 3.3 薄膜常用表征手段介绍 | 第41-43页 |
| 3.3.1 傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第41-42页 |
| 3.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第42页 |
| 3.3.3 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第42页 |
| 3.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第42-43页 |
| 3.4 所制备样品表征结果及分析 | 第43-47页 |
| 3.5 工作气体组分对于薄膜质量的影响 | 第47-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 基于六方氮化硼的深紫外探测器 | 第52-68页 |
| 4.1 六方氮化硼MSM型紫外探测器的制备 | 第52-54页 |
| 4.2 六方氮化硼的金半接触特性 | 第54-60页 |
| 4.2.1 金属-半导体接触特性 | 第55-58页 |
| 4.2.2 六方氮化硼金半接触I-V特性 | 第58-60页 |
| 4.3 紫外探测器测试系统和性能分析 | 第60-66页 |
| 4.3.1 紫外探测器测试系统 | 第60-62页 |
| 4.3.2 hBN紫外探测器性能测试和分析 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 本论文主要内容及结论 | 第68-69页 |
| 5.2 本论文的特色和创新点及展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 作者简历及攻读硕士期间取得的科研成果 | 第78页 |
