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基于全介电硅超材料的电磁感应透明研究

论文摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-23页
    1.1 电磁感应透明及其物理机制第10-12页
    1.2 电磁超材料简介第12-14页
    1.3 基于Si超材料的电磁感应透明的研究现状第14-21页
    1.4 本文研究意义和章节安排第21-23页
第二章 理论模拟软件FDTD Solutions的介绍第23-28页
    2.1 FDTD算法第23-25页
    2.2 FDTD Solutions模拟软件介绍第25-28页
第三章 U形全介电Si超材料的电磁感应透明第28-39页
    3.1 引言第28-29页
    3.2 单元结构设计和模拟设置第29-30页
    3.3 模拟电场分析第30-32页
    3.4 单元结构周期对EIT的影响第32-33页
    3.5 入射光偏振角度对EIT的影响第33-34页
    3.6 慢光效应第34-36页
    3.7 介质折射率对EIT的影响及其传感特性第36-37页
    3.8 本章小结第37-39页
第四章 π形全介电Si超材料的电磁感应透明第39-48页
    4.1 引言第39-40页
    4.2 单元结构设计和模拟设置第40-41页
    4.3 谐振器间距对EIT的影响第41-42页
    4.4 模拟电场分析第42-44页
    4.5 模拟表面电流分析第44-45页
    4.6 单元结构周期对EIT的影响第45-46页
    4.7 介质折射率对EIT的影响及光学传感第46-47页
    4.8 本章小结第47-48页
第五章 总结与展望第48-50页
    5.1 论文总结第48-49页
    5.2 研究展望第49-50页
参考文献第50-57页
致谢第57-58页
攻读硕士学位期间获得的科研成果第58页

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