摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-17页 |
1.2.1 IGBT失效的国内外研究现状 | 第11-15页 |
1.2.2 IGBT状态监测的国内外研究现状 | 第15-16页 |
1.2.3 键合线可靠性的研究现状 | 第16-17页 |
1.3 主要研究内容 | 第17-19页 |
第二章 键合线故障对IGBT模块内部结构的影响分析 | 第19-29页 |
2.1 IGBT的结构特性分析 | 第19-21页 |
2.1.1 IGBT模块的结构 | 第19-20页 |
2.1.2 IGBT的内部结构 | 第20-21页 |
2.1.3 IGBT内部杂散参数 | 第21页 |
2.2 IGBT铝键合线失效分析 | 第21-22页 |
2.3 铝键合线故障对杂散阻抗的影响分析 | 第22-24页 |
2.3.1 键合线脱落对杂散电阻和杂散电感的影响 | 第22-23页 |
2.3.2 键合线脱落对杂散电容的影响 | 第23-24页 |
2.4 杂散阻抗变化对门极电压波形的影响 | 第24-27页 |
2.4.1 模块的开通暂态过程 | 第24-25页 |
2.4.2 杂散阻抗的获取 | 第25-27页 |
2.4.3 杂散参数变化对门极开通电压的影响 | 第27页 |
2.5 本章小结 | 第27-29页 |
第三章 铝键合线故障对IGBT模块寿命的影响分析 | 第29-43页 |
3.1 IGBT模块热应力理论分析 | 第29-33页 |
3.1.1 IGBT模块封装的传热分析 | 第29-31页 |
3.1.2 传热定解条件分析 | 第31-32页 |
3.1.3 应力理论分析 | 第32-33页 |
3.2 热应力仿真分析 | 第33-35页 |
3.3 IGBT模块热应力仿真实例 | 第35-40页 |
3.3.1 建立IGBT的几何模型 | 第35-37页 |
3.3.2 有限元仿真结果分析 | 第37-40页 |
3.4 键合线脱落故障对IGBT模块寿命的影响分析 | 第40-41页 |
3.5 本章小结 | 第41-43页 |
第四章 铝键合线故障特征量的提取 | 第43-55页 |
4.1 IGBT的端部输出特性 | 第43-46页 |
4.1.1 稳态热阻 | 第43-44页 |
4.1.2 门极阈值电压V_(GE)th | 第44页 |
4.1.3 集射极饱和压降V_(cesat) | 第44-45页 |
4.1.4 门-射极电压V_(GE) | 第45-46页 |
4.2 键合线故障特征量的提取与选择 | 第46-47页 |
4.2.1 特征量提取步骤 | 第46-47页 |
4.2.2 特征量的选择 | 第47页 |
4.3 键合线脱落过程中特征量V_(cesat)的提取 | 第47-51页 |
4.3.1 测量V_(cesat)的实验平台搭建 | 第47-49页 |
4.3.2 键合线脱落过程中V_(cesat)变化规律的研究 | 第49-51页 |
4.4 键合线脱落过程中特征量V_(GE)的提取 | 第51-54页 |
4.4.1 测量V_(GE)的实验平台搭建 | 第51-52页 |
4.4.2 键合线脱落过程中V_(GE)的变化规律研究 | 第52-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 基于小波能谱熵的故障特征量的提取 | 第55-67页 |
5.1 小波变换 | 第55-58页 |
5.1.1 小波分析 | 第55-56页 |
5.1.2 常见小波基函数 | 第56-57页 |
5.1.3 小波包分析 | 第57-58页 |
5.2 小波包分解的能量提取 | 第58-59页 |
5.3 小波能谱熵 | 第59-60页 |
5.3.1 信息熵 | 第59页 |
5.3.2 小波能谱熵 | 第59-60页 |
5.4 门极电压的小波能谱熵求解 | 第60-65页 |
5.4.1 门极电压信号的小波包分解 | 第60-62页 |
5.4.2 门极电压信号的能量提取 | 第62-64页 |
5.4.3 门极电压信号的能谱熵提取 | 第64-65页 |
5.5 铝键合线故障与门极杂散阻抗关系的求解过程总结 | 第65-66页 |
5.6 本章小结 | 第66-67页 |
第六章 总结 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第74页 |