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IGBT模块铝键合线故障与门极杂散阻抗的关系研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 研究背景及意义第9-11页
    1.2 国内外研究现状第11-17页
        1.2.1 IGBT失效的国内外研究现状第11-15页
        1.2.2 IGBT状态监测的国内外研究现状第15-16页
        1.2.3 键合线可靠性的研究现状第16-17页
    1.3 主要研究内容第17-19页
第二章 键合线故障对IGBT模块内部结构的影响分析第19-29页
    2.1 IGBT的结构特性分析第19-21页
        2.1.1 IGBT模块的结构第19-20页
        2.1.2 IGBT的内部结构第20-21页
        2.1.3 IGBT内部杂散参数第21页
    2.2 IGBT铝键合线失效分析第21-22页
    2.3 铝键合线故障对杂散阻抗的影响分析第22-24页
        2.3.1 键合线脱落对杂散电阻和杂散电感的影响第22-23页
        2.3.2 键合线脱落对杂散电容的影响第23-24页
    2.4 杂散阻抗变化对门极电压波形的影响第24-27页
        2.4.1 模块的开通暂态过程第24-25页
        2.4.2 杂散阻抗的获取第25-27页
        2.4.3 杂散参数变化对门极开通电压的影响第27页
    2.5 本章小结第27-29页
第三章 铝键合线故障对IGBT模块寿命的影响分析第29-43页
    3.1 IGBT模块热应力理论分析第29-33页
        3.1.1 IGBT模块封装的传热分析第29-31页
        3.1.2 传热定解条件分析第31-32页
        3.1.3 应力理论分析第32-33页
    3.2 热应力仿真分析第33-35页
    3.3 IGBT模块热应力仿真实例第35-40页
        3.3.1 建立IGBT的几何模型第35-37页
        3.3.2 有限元仿真结果分析第37-40页
    3.4 键合线脱落故障对IGBT模块寿命的影响分析第40-41页
    3.5 本章小结第41-43页
第四章 铝键合线故障特征量的提取第43-55页
    4.1 IGBT的端部输出特性第43-46页
        4.1.1 稳态热阻第43-44页
        4.1.2 门极阈值电压V_(GE)th第44页
        4.1.3 集射极饱和压降V_(cesat)第44-45页
        4.1.4 门-射极电压V_(GE)第45-46页
    4.2 键合线故障特征量的提取与选择第46-47页
        4.2.1 特征量提取步骤第46-47页
        4.2.2 特征量的选择第47页
    4.3 键合线脱落过程中特征量V_(cesat)的提取第47-51页
        4.3.1 测量V_(cesat)的实验平台搭建第47-49页
        4.3.2 键合线脱落过程中V_(cesat)变化规律的研究第49-51页
    4.4 键合线脱落过程中特征量V_(GE)的提取第51-54页
        4.4.1 测量V_(GE)的实验平台搭建第51-52页
        4.4.2 键合线脱落过程中V_(GE)的变化规律研究第52-54页
    4.5 本章小结第54-55页
第五章 基于小波能谱熵的故障特征量的提取第55-67页
    5.1 小波变换第55-58页
        5.1.1 小波分析第55-56页
        5.1.2 常见小波基函数第56-57页
        5.1.3 小波包分析第57-58页
    5.2 小波包分解的能量提取第58-59页
    5.3 小波能谱熵第59-60页
        5.3.1 信息熵第59页
        5.3.2 小波能谱熵第59-60页
    5.4 门极电压的小波能谱熵求解第60-65页
        5.4.1 门极电压信号的小波包分解第60-62页
        5.4.2 门极电压信号的能量提取第62-64页
        5.4.3 门极电压信号的能谱熵提取第64-65页
    5.5 铝键合线故障与门极杂散阻抗关系的求解过程总结第65-66页
    5.6 本章小结第66-67页
第六章 总结第67-69页
参考文献第69-73页
致谢第73-74页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第74页

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