高压下GaSb的电输运性质研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第15-23页 |
| 1.1 高压物理的发展及意义 | 第15-16页 |
| 1.2 电学在高压物理的发展应用 | 第16-19页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体GaSb的介绍 | 第19-20页 |
| 1.4 GaSb的研究现状和目的 | 第20-21页 |
| 1.5 论文主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 静高压实验技术 | 第23-33页 |
| 2.1 样品的封装 | 第23-28页 |
| 2.2 金刚石上微电路的集成 | 第28-31页 |
| 2.2.1 镀膜技术 | 第29-30页 |
| 2.2.2 光刻技术 | 第30-31页 |
| 2.3 标压技术 | 第31-33页 |
| 第三章 高压下GaSb直流电学性质研究 | 第33-47页 |
| 3.1 常压GaSb样品粉末的XRD | 第33-34页 |
| 3.2 高压原位直流电阻率测量 | 第34-36页 |
| 3.2.1 测量原理 | 第34-35页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第35-36页 |
| 3.3 GaSb的高压原位霍尔效应测量 | 第36-41页 |
| 3.3.1 测量方法与原理 | 第36-39页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第39-41页 |
| 3.4 GaSb的高压变温电阻率测量 | 第41-45页 |
| 3.4.1 K型热电偶的制作 | 第41-42页 |
| 3.4.2 测量结果 | 第42-43页 |
| 3.4.3 传导激活能的拟合 | 第43-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 高压下GaSb样品的界面研究 | 第47-53页 |
| 4.1 卸压后GaSb样品透射电镜表征 | 第47-49页 |
| 4.2 GaSb样品的高压交流阻抗谱实验 | 第49-52页 |
| 4.2.1 测量原理 | 第49-50页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第50-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 附录A：攻读硕士期间发表的文章 | 第62-63页 |
