| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光催化原理 | 第11-12页 |
| 1.3 PbSe材料简介 | 第12页 |
| 1.4 PbSe纳米材料的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.4.1 分子束外延技术 | 第13页 |
| 1.4.2 化学气相沉积(CVD)技术 | 第13-14页 |
| 1.4.3 物理气相沉积(PVD)技术 | 第14页 |
| 1.4.4 静电纺丝技术 | 第14-15页 |
| 1.4.5 水热与溶剂热法 | 第15页 |
| 1.5 窄带隙材料用于光催化的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.5.1 窄带隙材料光催化的国外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5.2 窄带隙材料光催化的国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的主要研究目的和研究内容 | 第18-21页 |
| 1.6.1 本论文的主要研究目的 | 第18-19页 |
| 1.6.2 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 硒化铅纳米材料的制备及表征方法 | 第21-28页 |
| 2.1 前言 | 第21页 |
| 2.2 实验所用药品 | 第21页 |
| 2.3 实验所用仪器与设备 | 第21-22页 |
| 2.4 样品测试与表征方法 | 第22-28页 |
| 2.4.1 X-射线衍射 | 第22-23页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.4.4 可见-红外吸收光谱 | 第25页 |
| 2.4.5 拉曼光谱 | 第25-26页 |
| 2.4.6 X射线光电子能谱 | 第26页 |
| 2.4.7 光催化性能 | 第26-28页 |
| 第3章 Se纳米线和PbSe纳米管的制备及光催化性能研究 | 第28-44页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 Se纳米线及PbSe纳米管的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.1 Se纳米线的合成 | 第29页 |
| 3.2.2 PbSe纳米管的合成 | 第29-30页 |
| 3.3 Se纳米线和PbSe纳米管的表征 | 第30-36页 |
| 3.3.1 Se纳米线的表征 | 第30-32页 |
| 3.3.2 PbSe纳米线管的表征 | 第32-36页 |
| 3.4 PbSe纳米管的生长过程及生长机理 | 第36-39页 |
| 3.4.1 PbSe纳米管生长过程的研究 | 第36-38页 |
| 3.4.2 PbSe纳米管生长机理的研究 | 第38-39页 |
| 3.5 PbSe纳米管性能的研究 | 第39-43页 |
| 3.5.1 PbSe纳米管的可见-红外吸收性能 | 第39页 |
| 3.5.2 PbSe纳米管的光催化性能 | 第39-41页 |
| 3.5.3 PbSe纳米管的光催化机理 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 Ag修饰PbSe纳米管材料的制备及其光催化性能研究 | 第44-52页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 Ag修饰PbSe纳米管材料的制备与表征 | 第44-46页 |
| 4.2.1 Ag修饰PbSe纳米管材料的制备 | 第44-45页 |
| 4.2.2 Ag修饰PbSe纳米管材料的表征 | 第45-46页 |
| 4.3 Ag修饰PbSe纳米管材料光催化性能的研究 | 第46-50页 |
| 4.3.1 Ag修饰PbSe纳米管材料的光催化性能 | 第46-48页 |
| 4.3.2 Ag修饰PbSe纳米管材料的光催化机理 | 第48-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 PbSe/TiO_2复合纳米管异质结结构制备及光催化性能研究 | 第52-60页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 PbSe/TiO_2复合纳米管结构的制备及表征 | 第52-56页 |
| 5.2.1 PbSe/TiO_2复合纳米管结构的制备 | 第52-53页 |
| 5.2.2 PbSe/TiO_2复合纳米管结构的表征 | 第53-56页 |
| 5.3 PbSe/TiO_2复合纳米管结构光催化性能的研究 | 第56-59页 |
| 5.3.1 PbSe/TiO_2复合纳米管结构的光催化性能 | 第56-57页 |
| 5.3.2 PbSe/TiO_2复合纳米管结构的光催化机理 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
