| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 电子晶体学基础理论 | 第9-12页 |
| 1.2.1 电子晶体学的发展历程 | 第9-11页 |
| 1.2.2 晶体内静电势、晶体结构因子、原子散射因子以及三者的关系 | 第11-12页 |
| 1.3 电子衍射的基础理论 | 第12-15页 |
| 1.3.1 电子显微镜的构造 | 第12页 |
| 1.3.2 电子衍射的成像原理 | 第12-14页 |
| 1.3.3 电子衍射的动力学理论 | 第14-15页 |
| 1.4 选题依据和论文框架 | 第15-17页 |
| 第2章 非正交晶系中改进多片层方法表达式的推导 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 传统多层法和实空间法的理论推导 | 第17-21页 |
| 2.3 改进的多片层方法的理论推导 | 第21-22页 |
| 2.4 改进的多片层方法的坐标转换 | 第22-25页 |
| 2.4.1 改进的多片层方法的坐标转换推导 | 第22-24页 |
| 2.4.2 改进的多片层方法坐标转换正确性的验证 | 第24-25页 |
| 2.5 非正交晶系衍射花样作图方法 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 低电压下改进的多片层方法在非正交系中的应用 | 第27-38页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 改进的多片层方法在六角晶系Si中的应用 | 第27-29页 |
| 3.2.1 六角晶系Si的模拟参数 | 第27页 |
| 3.2.2 六角晶系Si中衍射花样的比较 | 第27-29页 |
| 3.3 改进的多片层方法在单斜晶系Na_2Ti_3O_7中的应用 | 第29-34页 |
| 3.3.1 单斜晶系Na_2Ti_3O_7的模拟参数 | 第29-30页 |
| 3.3.2 单斜晶系Na_2Ti_3O_7中衍射花样的比较 | 第30-33页 |
| 3.3.3 单斜晶系Na_2Ti_3O_7中衍射强度随厚度变化的比较 | 第33-34页 |
| 3.4 分析与讨论 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 改进的多片层方法在电子背散射衍射模拟中的应用 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 EBSD简介 | 第39-40页 |
| 4.2.1 电子背散射理论简述 | 第39-40页 |
| 4.2.2 电子背散射工作原理 | 第40页 |
| 4.3 动力学模拟模型的建立 | 第40-42页 |
| 4.3.1 多片层方法模拟EBSD模型 | 第40-41页 |
| 4.3.2 倒易原理模型简介 | 第41-42页 |
| 4.4 用改进的多片层方法模拟EBSD花样 | 第42-47页 |
| 4.4.1 硅的EBSD模拟图的参数设置以及初步模拟 | 第42-43页 |
| 4.4.2 电压变化对EBSD花样的影响 | 第43-45页 |
| 4.4.3 温度因素对EBSD花样的影响 | 第45-46页 |
| 4.4.4 光阑大小对EBSD花样的影响 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第49页 |
| 5.2 工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56页 |
