首页--工业技术论文--电工技术论文--独立电源技术(直接发电)论文--光电池论文--太阳能电池论文

a-Si:H/c-Si异质结太阳电池设计与性能模拟研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第11-17页
    1.1 能源危机第11-12页
    1.2 太阳电池的分类及其发展第12-16页
        1.2.1 太阳电池的分类第12-13页
        1.2.2 太阳电池的发展历程第13-14页
        1.2.3 光伏产业的发展状况第14-16页
    1.3 本文的研究目的、意义和内容第16-17页
第2章 太阳电池的工作原理及主要特性第17-25页
    2.1 引言第17页
    2.2 太阳电池的工作原理第17-21页
        2.2.1 P-N结第17-18页
        2.2.2 太阳电池基本工作原理第18-19页
        2.2.3 太阳电池的等效电路第19-20页
        2.2.4 伏安特性曲线及主要参数第20-21页
    2.3 非晶硅太阳电池的研究第21-23页
        2.3.1 非晶硅材料的基本特性第21-22页
        2.3.2 非晶硅的能带结构第22页
        2.3.3 非晶硅太阳电池的优点第22-23页
    2.4 影响电池效率的因素及改进方法第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第3章a-Si:H/c-Si异质结太阳电池研究第25-47页
    3.1 AFORS-HET模拟软件介绍第25-26页
    3.2 电池结构及主要参数第26-28页
    3.3 异质结太阳电池窗口层的研究第28-31页
        3.3.1 窗口层厚度的研究第28-29页
        3.3.2 窗口层禁带宽度的研究第29-30页
        3.3.3 窗口层掺杂浓度的研究第30-31页
        3.3.4 窗口层电子亲和势的研究第31页
    3.4 太阳电池本征层的研究第31-34页
        3.4.1 本征层的厚度的研究第32-33页
        3.4.2 本征层带隙的研究第33-34页
    3.5 太阳电池吸收层的研究第34-35页
        3.5.1 吸收层厚度的研究第34页
        3.5.2 吸收层掺杂浓度的研究第34-35页
    3.6 太阳电池背场的研究第35-38页
        3.6.1 背场对电池性能的影响比较第35-36页
        3.6.2 背场厚度的研究第36-37页
        3.6.3 背场带隙的研究第37页
        3.6.4 背场掺杂浓度对电池的影响第37-38页
    3.7 太阳电池缺陷态对电池性能的影响第38-45页
        3.7.1 a-Si:H带尾态密度的研究第40-41页
        3.7.2 a-Si:H(p+)带尾态密度的研究第41-42页
        3.7.3 a-Si:H(n)带间定域缺陷态的研究第42-43页
        3.7.4 a-Si C带尾特征能量的研究第43-45页
        3.7.5 c-Si(p)缺陷态密度的研究第45页
    3.8 本章小结第45-47页
第4章 非晶硅梯度带隙太阳电池的模拟研究第47-55页
    4.1 渐变带隙物理模型的建立第47-48页
    4.2 模拟结果第48-49页
    4.3 分析讨论第49-53页
        4.3.1 能带结构分析第49-50页
        4.3.2 内量子效应和光谱响应分析第50-52页
        4.3.3 载流子复合率分析第52-53页
        4.3.4 带隙梯度层数与背场的研究第53页
    4.4 本章小结第53-55页
结论第55-56页
参考文献第56-60页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第60-61页
致谢第61-62页
作者简介第62页

论文共62页,点击 下载论文
上一篇:连锁故障双阶段搜索算法及风险评估模型研究
下一篇:基于分频调节RAPF位置策略的环形配电网背景谐波抑制研究