| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 纳米线简介 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米线透明导电薄膜简介 | 第15-23页 |
| 1.3.1 纳米线透明导电薄膜光电特性 | 第15-17页 |
| 1.3.2 基于纳米线的复合透明导电薄膜制备及其应用 | 第17-23页 |
| 1.4 有机发光二极管简介 | 第23-25页 |
| 1.5 论文研究内容及创新点 | 第25-27页 |
| 1.5.1 本论文主要研究内容 | 第25页 |
| 1.5.2 论文创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备与表征测量系统 | 第27-35页 |
| 2.1 铜纳米线透明导电薄膜与OLED器件制备系统 | 第27-29页 |
| 2.1.1 铜纳米线生长设备 | 第27页 |
| 2.1.2 薄膜制备设备 | 第27-28页 |
| 2.1.3 OLED器件制备系统 | 第28-29页 |
| 2.2 结构表征 | 第29-32页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第31-32页 |
| 2.3 物性表征 | 第32-34页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第32-33页 |
| 2.3.2 薄膜透光率测试仪 | 第33页 |
| 2.3.3 方阻的测定 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 铜纳米线的制备研究 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第35-36页 |
| 3.2.2 CuNWs生长研究与步骤 | 第36-37页 |
| 3.3 最优条件下产物分析 | 第37-39页 |
| 3.4 生长条件对CuNWs形貌影响 | 第39-44页 |
| 3.4.1 反应时间对CuNWs形貌影响 | 第39-41页 |
| 3.4.2 抗坏血酸对CuNWs形貌影响 | 第41-42页 |
| 3.4.3 十八胺对CuNWs形貌影响 | 第42-43页 |
| 3.4.4 反应温度对CuNWs形貌影响 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 铜纳米线复合透明导电薄膜制备及性能研究 | 第46-55页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 化学试剂 | 第47页 |
| 4.3 铜纳米线透明导电薄膜的制备 | 第47-49页 |
| 4.4 铜纳米线透明导电薄膜的结果与分析 | 第49-50页 |
| 4.5 CuNWs/PMMA复合透明导电薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.6 CuNWs/PMMA复合透明导电薄膜的结果与分析 | 第51-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 铜纳米线复合透明导电薄膜在OLED器件中应用 | 第55-66页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 实验材料 | 第55-57页 |
| 5.3 CuNWs/PMMA/PEDOT:PSS复合透明导电薄膜的制备 | 第57-58页 |
| 5.3.1 配制PEDOT:PSS溶液 | 第57页 |
| 5.3.2 制备CuNWs/PMMA复合透明导电薄膜 | 第57页 |
| 5.3.3 旋涂PEDOT:PSS溶液并退火 | 第57-58页 |
| 5.4 PET/PEDOT:PSS透明导电薄膜的制备 | 第58页 |
| 5.5 柔性OLED器件制备 | 第58-60页 |
| 5.6 铜纳米线复合透明导电薄膜与PEDOT:PSS薄膜性能分析 | 第60-63页 |
| 5.6.1 粗糙度对比 | 第60-62页 |
| 5.6.2 方阻对比 | 第62-63页 |
| 5.7 两种透明导电薄膜为阳极制备的OLED器件光电性能比较 | 第63-65页 |
| 5.8 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 全文总结 | 第66-67页 |
| 6.2 前景展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
