| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 太阳能电池发展现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 传统太阳能电池的发展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 第三代太阳能电池的发展 | 第12-15页 |
| 1.3 中间带电池(IBSC)理论发展现状 | 第15-16页 |
| 1.4 超掺杂发展现状 | 第16-21页 |
| 1.4.1 超掺杂理论 | 第16-17页 |
| 1.4.2 利用脉冲激光进行超掺杂的进展 | 第17-21页 |
| 1.5 不同深能级杂质超掺杂的现状 | 第21-27页 |
| 1.5.1 过渡金属元素超掺杂的研究现状 | 第21-25页 |
| 1.5.2 硫族元素超掺杂的研究现状 | 第25-27页 |
| 1.6 论文的研究意义及内容概括 | 第27-30页 |
| 2 实验设备及测试方法 | 第30-37页 |
| 2.1 实验设备 | 第30-32页 |
| 2.1.1 高真空磁控溅射镀膜设备 | 第30页 |
| 2.1.2 Nd：YAG纳秒激光系统 | 第30-31页 |
| 2.1.3 三维电控平移台 | 第31-32页 |
| 2.1.4 电热扩散退火炉 | 第32页 |
| 2.2 测试仪器 | 第32-37页 |
| 2.2.1 红外分光光度计 | 第32-33页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第33页 |
| 2.2.3 霍尔效应测试仪 | 第33-34页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第35-37页 |
| 3 利用脉冲激光进行硅中超掺杂钛的研究 | 第37-52页 |
| 3.1 利用磁控溅射镀膜结合脉冲激光退火进行钛掺杂 | 第37-39页 |
| 3.1.1 实验过程 | 第37-39页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第39-51页 |
| 3.2.1 钛掺杂硅膜层的微结构性质 | 第39-42页 |
| 3.2.2 钛掺杂硅膜层的红外光学性质 | 第42-50页 |
| 3.2.3 钛掺杂硅膜层的电学性质 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 利用脉冲激光进行硅中超掺杂银的研究 | 第52-65页 |
| 4.1 利用磁控溅射镀膜结合脉冲激光退火进行银的掺杂 | 第52-54页 |
| 4.1.1 实验过程 | 第52-54页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第54-64页 |
| 4.2.1 银掺杂硅膜层的微结构性质 | 第54-57页 |
| 4.2.2 银掺杂硅膜层的红外吸收性质 | 第57-63页 |
| 4.2.3 银掺杂硅膜层的电学性质 | 第63-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 利用脉冲激光进行硅中超掺杂铁的研究 | 第65-78页 |
| 5.1 利用磁控溅射镀膜结合脉冲激光退火进行铁的掺杂 | 第65-66页 |
| 5.1.1 实验过程 | 第65-66页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第66-75页 |
| 5.2.1 铁掺杂硅膜层的微结构性质 | 第66-70页 |
| 5.2.2 铁掺杂硅膜层的光学性质 | 第70-75页 |
| 5.3 不同掺杂材料的比较 | 第75-77页 |
| 5.3.1 制备过程的比较 | 第75页 |
| 5.3.2 材料性能的比较 | 第75-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 总结 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第89页 |
