| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC纳米管相关介绍 | 第10-13页 |
| 1.2.1 SiC纳米管的模型 | 第10-11页 |
| 1.2.2 碳化硅材料的应用和碳化硅纳米管的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究目标,研究方案和创新点 | 第13-16页 |
| 1.3.1 研究目标和方案 | 第13-14页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第14页 |
| 1.3.3 本文的创新点 | 第14-16页 |
| 2 基本原理 | 第16-23页 |
| 2.1 分子动力学模拟 | 第16-18页 |
| 2.2 COMPASS力场 | 第18-20页 |
| 2.3 周期性边界条件 | 第20-21页 |
| 2.4 系综 | 第21-23页 |
| 3 掺杂修饰型SiC纳米管热导率的预测 | 第23-33页 |
| 3.1 构建模型 | 第23-24页 |
| 3.2 掺杂原子数占总原子数百分比大小对SiC纳米管热导率的影响 | 第24-29页 |
| 3.2.1 模拟过程 | 第24-25页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第25-29页 |
| 3.2.3 结论 | 第29页 |
| 3.3 温度对掺杂修饰型SiC纳米管热导率的影响 | 第29-32页 |
| 3.3.1 实验背景 | 第29页 |
| 3.3.2 模拟实验过程 | 第29-30页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第30-32页 |
| 3.3.4 结论 | 第32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 不同缺陷修饰型SiC纳米管热导率的预测 | 第33-43页 |
| 4.1 构建缺陷修饰型SiC纳米管的模型 | 第33-34页 |
| 4.2 两种缺陷修饰型SiC纳米管热导率随温度变化的研究 | 第34-37页 |
| 4.2.1 模拟实验 | 第34页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第34-37页 |
| 4.2.3 结论 | 第37页 |
| 4.3 缺陷修饰型SiC纳米管热导率随管长变化规律的研究 | 第37-41页 |
| 4.3.1 模拟实验 | 第37-38页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第38-41页 |
| 4.3.3 结论 | 第41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
