高压结势垒肖特基二极管（JBS）的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 肖特基势垒二极管的应用和发展 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的选题意义和主要研究工作 | 第11-13页 |
| 第二章 二极管原理及模型 | 第13-29页 |
| 2.1 功率二极管的概念 | 第13-14页 |
| 2.2 SBD二极管 | 第14-21页 |
| 2.2.1 肖特基接触 | 第15-17页 |
| 2.2.2 正向传导特性 | 第17-18页 |
| 2.2.3 反向阻断特性 | 第18-21页 |
| 2.3 PiN二极管 | 第21-23页 |
| 2.3.1 正向传导特性 | 第22-23页 |
| 2.3.2 反向阻断特性 | 第23页 |
| 2.4 JBS二极管 | 第23-28页 |
| 2.4.1 正向传导特性 | 第23-26页 |
| 2.4.2 反向阻断特性 | 第26-27页 |
| 2.4.3 瞬态特性 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 JBS二极管的设计 | 第29-40页 |
| 3.1 有源区设计 | 第29-32页 |
| 3.1.1 反向耐压 | 第29-30页 |
| 3.1.2 通态压降与泄漏电流 | 第30-32页 |
| 3.2 终端结构设计 | 第32-36页 |
| 3.2.1 场限环理论 | 第33-34页 |
| 3.2.2 场限环的设计 | 第34-36页 |
| 3.3 版图设计 | 第36-39页 |
| 3.3.1 条状结构 | 第36-38页 |
| 3.3.2 同心圆结构 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 器件制造与封装测试 | 第40-59页 |
| 4.1 试验方案与工艺流程 | 第40-45页 |
| 4.1.1 外延材料准备 | 第40-41页 |
| 4.1.2 试验方案 | 第41页 |
| 4.1.3 工艺流程 | 第41-45页 |
| 4.2 试验与讨论 | 第45-50页 |
| 4.2.1 隔离氧化层厚度对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.2 推结时间对器件性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 不同终端结构对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.4 B~+离子注入剂量对器件性能的影响 | 第50页 |
| 4.3 器件封装与测试分析 | 第50-57页 |
| 4.3.1 器件封装 | 第50-52页 |
| 4.3.2 测试分析 | 第52-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 JBS二极管的仿真与优化 | 第59-73页 |
| 5.1 仿真软件简介 | 第59-61页 |
| 5.1.1 基本半导体方程 | 第59-60页 |
| 5.1.2 主要物理模型 | 第60-61页 |
| 5.2 器件仿真 | 第61-70页 |
| 5.2.1 反向特性 | 第61-68页 |
| 5.2.2 正向特性 | 第68-70页 |
| 5.3 工艺仿真 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 在学期间参与课题与研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
